单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

STH2N120K5-2AG MOSFET N-CH 1200V 1.5A H2PAK-2 STMicroelectronics	1,926 现货	1 : ¥36.29000 剪切带（CT） 1,000 : ¥18.74955 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	1200 V	1.5A（Tc）	10V	10 欧姆 @ 500mA，10V	4V @ 100µA	5.3 nC @ 10 V	±30V	124 pF @ 100 V	-	60W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	H2PAK-2	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IMBF170R1K0M1XTMA1 SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7 Infineon Technologies	1,540 现货	1 : ¥39.32000 剪切带（CT） 1,000 : ¥20.34800 卷带（TR）	CoolSiC™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	1700 V	5.2A（Tc）	12V，15V	1000毫欧 @ 1A，15V	5.7V @ 1.1mA	5 nC @ 12 V	+20V，-10V	275 pF @ 1000 V	-	68W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TO263-7-13	TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IMBF170R650M1XTMA1 SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7 Infineon Technologies	1,771 现货	1 : ¥44.42000 剪切带（CT） 1,000 : ¥22.97768 卷带（TR）	CoolSiC™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	1700 V	7.4A（Tc）	12V，15V	650毫欧 @ 1.5A，15V	5.7V @ 1.7mA	8 nC @ 12 V	+20V，-10V	422 pF @ 1000 V	-	88W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TO263-7-13	TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IMBF170R450M1XTMA1 SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7 Infineon Technologies	1,209 现货	1 : ¥50.16000 剪切带（CT） 1,000 : ¥28.47103 卷带（TR）	CoolSiC™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	1700 V	9.8A（Tc）	12V，15V	450毫欧 @ 2A，15V	5.7V @ 2.5mA	11 nC @ 12 V	+20V，-10V	610 pF @ 1000 V	-	107W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TO263-7-13	TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IMW120R060M1HXKSA1 SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3 Infineon Technologies	358 现货	1 : ¥94.33000 管件	CoolSiC™	管件	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	1200 V	36A（Tc）	15V，18V	78 毫欧 @ 13A，18V	5.7V @ 5.6mA	31 nC @ 18 V	+23V，-7V	1060 pF @ 800 V	-	150W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO247-3-41	TO-247-3
AIMBG120R010M1XTMA1 SIC_DISCRETE Infineon Technologies	700 现货	1 : ¥411.72000 剪切带（CT） 1,000 : ¥285.20713 卷带（TR）	CoolSiC™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	1200 V	187A	-	-	-	-	-	-	-	-	-55°C ~ 175°C	-	-	表面贴装型	PG-TO263-7-12	TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IMW120R007M1HXKSA1 SIC DISCRETE Infineon Technologies	436 现货	1 : ¥485.69000 管件	CoolSiC™	管件	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	1200 V	225A（Tc）	15V，18V	9.9 毫欧 @ 108A，18V	5.2V @ 47mA	289 nC @ 18 V	+20V，-5V	9170 pF @ 800 V	-	750W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO247-3	TO-247-3
IMZA120R007M1HXKSA1 SIC DISCRETE Infineon Technologies	133 现货	1 : ¥496.36000 管件	CoolSiC™	管件	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	1200 V	225A（Tc）	15V，18V	9.9 毫欧 @ 108A，18V	5.2V @ 47mA	289 nC @ 18 V	+20V，-5V	9170 pF @ 800 V	-	750W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO247-4-8	TO-247-4
IMZ120R220M1HXKSA1 SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-4 Infineon Technologies	337 现货	1 : ¥42.61000 管件	CoolSiC™	管件	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	1200 V	13A（Tc）	15V，18V	220 毫欧 @ 4A，18V	5.7V @ 1.6mA	8.5 nC @ 18 V	+23V，-7V	289 pF @ 800 V	-	75W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO247-4-1	TO-247-4
IMW120R350M1HXKSA1 SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3 Infineon Technologies	1,227 现货	1 : ¥44.09000 管件	CoolSiC™	管件	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	1200 V	4.7A（Tc）	15V，18V	455 毫欧 @ 2A，18V	5.7V @ 1mA	5.3 nC @ 18 V	+23V，-7V	182 pF @ 800 V	-	60W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO247-3-41	TO-247-3
IMBG120R060M1HXTMA1 SICFET N-CH 1.2KV 36A TO263 Infineon Technologies	1,865 现货	1 : ¥88.58000 剪切带（CT） 1,000 : ¥50.23111 卷带（TR）	CoolSiC™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	1200 V	36A（Tc）	-	83 毫欧 @ 13A，18V	5.7V @ 5.6mA	34 nC @ 18 V	+18V，-15V	1145 pF @ 800 V	-	181W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TO263-7-12	TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IMBG120R045M1HXTMA1 SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263 Infineon Technologies	1,007 现货	1 : ¥124.62000 剪切带（CT） 1,000 : ¥78.95229 卷带（TR）	CoolSiC™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	1200 V	47A（Tc）	-	63 毫欧 @ 16A，18V	5.7V @ 7.5mA	46 nC @ 18 V	+18V，-15V	1527 pF @ 800 V	-	227W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TO263-7-12	TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IMZ120R030M1HXKSA1 SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-4 Infineon Technologies	218 现货	1 : ¥164.44000 管件	CoolSiC™	管件	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	1200 V	56A（Tc）	15V，18V	40 毫欧 @ 25A，18V	5.7V @ 10mA	63 nC @ 18 V	+23V，-7V	2120 pF @ 800 V	-	227W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO247-4-1	TO-247-4
IMBG65R163M1HXTMA1 SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Infineon Technologies	924 现货	1 : ¥43.18000 剪切带（CT） 1,000 : ¥22.30629 卷带（TR）	CoolSIC™ M1	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	650 V	17A（Tc）	18V	217 毫欧 @ 5.7A，18V	5.7V @ 1.7mA	10 nC @ 18 V	+23V，-5V	320 pF @ 400 V	-	85W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TO263-7-12	TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IMBG120R220M1HXTMA1 SICFET N-CH 1.2KV 13A TO263 Infineon Technologies	948 现货	1 : ¥50.57000 剪切带（CT） 1,000 : ¥28.69819 卷带（TR）	CoolSiC™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	1200 V	13A（Tc）	-	294 毫欧 @ 4A，18V	5.7V @ 1.6mA	9.4 nC @ 18 V	+18V，-15V	312 pF @ 800 V	-	83W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TO263-7-12	TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IMBG65R107M1HXTMA1 SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Infineon Technologies	810 现货	1 : ¥52.13000 剪切带（CT） 1,000 : ¥29.56802 卷带（TR）	CoolSIC™ M1	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	650 V	24A（Tc）	18V	141 毫欧 @ 8.9A，18V	5.7V @ 2.6mA	15 nC @ 18 V	+23V，-5V	496 pF @ 400 V	-	110W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TO263-7-12	TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IMZ120R350M1HXKSA1 SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4 Infineon Technologies	139 现货	1 : ¥53.28000 管件	CoolSiC™	管件	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	1200 V	4.7A（Tc）	15V，18V	350 毫欧 @ 2A，18V	5.7V @ 1mA	5.3 nC @ 18 V	+23V，-7V	182 pF @ 800 V	-	60W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO247-4-1	TO-247-4
IMW65R072M1HXKSA1 MOSFET 650V NCH SIC TRENCH Infineon Technologies	265 现货	1 : ¥67.24000 管件	CoolSIC™ M1	管件	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	650 V	26A（Tc）	18V	94 毫欧 @ 13.3A，18V	5.7V @ 4mA	22 nC @ 18 V	+23V，-5V	744 pF @ 400 V	-	96W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO247-3-41	TO-247-3
IMBG65R057M1HXTMA1 SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Infineon Technologies	896 现货	1 : ¥73.48000 剪切带（CT） 1,000 : ¥41.66435 卷带（TR）	CoolSiC™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	650 V	39A（Tc）	18V	74 毫欧 @ 16.7A，18V	5.7V @ 5mA	28 nC @ 18 V	+23V，-5V	930 pF @ 400 V	-	161W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TO263-7-12	TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IMBG65R030M1HXTMA1 SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Infineon Technologies	925 现货	1 : ¥105.82000 剪切带（CT） 1,000 : ¥66.99980 卷带（TR）	CoolSiC™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	650 V	63A（Tc）	18V	42 毫欧 @ 29.5A，18V	5.7V @ 8.8mA	49 nC @ 18 V	+23V，-5V	1643 pF @ 400 V	-	234W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TO263-7-12	TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
SCT3160KW7TL SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7 Rohm Semiconductor	3,924 现货	1 : ¥88.99000 剪切带（CT） 1,000 : ¥43.69668 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	1200 V	17A（Tc）	-	208 毫欧 @ 5A，18V	5.6V @ 2.5mA	42 nC @ 18 V	+22V，-4V	398 pF @ 800 V	-	100W	175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-263-7	TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
AIMBG120R080M1XTMA1 SIC_DISCRETE Infineon Technologies	961 现货	1 : ¥87.84000 剪切带（CT） 1,000 : ¥55.64187 卷带（TR）	CoolSiC™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	1200 V	30A	-	-	-	-	-	-	-	-	-55°C ~ 175°C	-	-	表面贴装型	PG-TO263-7-12	TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IMBG120R140M1HXTMA1 SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263 Infineon Technologies	20 现货	1 : ¥59.77000 剪切带（CT） 1,000 : ¥33.88441 卷带（TR）	CoolSiC™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	1200 V	18A（Tc）	-	189 毫欧 @ 6A，18V	5.7V @ 2.5mA	13.4 nC @ 18 V	+18V，-15V	491 pF @ 800 V	-	107W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TO263-7-12	TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IMBG65R083M1HXTMA1 SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Infineon Technologies	0 现货查看交期	1 : ¥58.21000 剪切带（CT） 1,000 : ¥32.99898 卷带（TR）	CoolSIC™ M1	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	650 V	28A（Tc）	18V	111 毫欧 @ 11.2A，18V	5.7V @ 3.3mA	19 nC @ 18 V	+23V，-5V	624 pF @ 400 V	-	126W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TO263-7-12	TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA