单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
GeneSiC Semiconductoronsemi
系列
-G3R™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
17A（Ta），71A（Tc）28A（Ta），150A（Tc）45A（Ta），240A（Tc）48A（Ta），298A（Tc）61A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.9 毫欧 @ 20A，10V1.21 毫欧 @ 50A，10V3 毫欧 @ 27A，10V7 毫欧 @ 11A，10V58 毫欧 @ 40A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 200µA2.7V @ 8mA3.5V @ 190µA4V @ 135µA4V @ 53µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
14.4 nC @ 10 V34 nC @ 10 V75 nC @ 10 V131.4 nC @ 10 V182 nC @ 15 V
Vgs（最大值）
±15V+20V，-16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1035 pF @ 30 V2630 pF @ 30 V4523 pF @ 1000 V4960 pF @ 25 V9450 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
3.6W（Ta），61W（Tc）3.7W（Ta），110W（Tc）3.8W（Ta），144W（Tc）4.3W（Ta），136.4W（Tc）438W（Tc）
安装类型
表面贴装，可润湿侧翼表面贴装型通孔
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）5-DFNW（4.9x5.9）（8-SOFL-WF）8-HPSOFTO-247-4
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerTDFN，5 引线TO-247-4
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-4 Top
G3R45MT17K
SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
749
现货
1 : ¥271.50000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1700 V
61A（Tc）
15V
58 毫欧 @ 40A，15V
2.7V @ 8mA
182 nC @ 15 V
±15V
4523 pF @ 1000 V
-
438W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
8-HPSOF Top View
FDBL9406-F085T6
MOSFET N-CH 40V 45A/240A 8HPSOF
onsemi
1,889
现货
1 : ¥45.56000
剪切带（CT）
2,000 : ¥21.27161
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
45A（Ta），240A（Tc）
-
1.21 毫欧 @ 50A，10V
3.5V @ 190µA
75 nC @ 10 V
+20V，-16V
4960 pF @ 25 V
-
4.3W（Ta），136.4W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-HPSOF
8-PowerSFN
8-PowerTDFN, 5 Leads
NVMFS5C670NWFT1G
MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥17.08000
剪切带（CT）
1,500 : ¥8.11211
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
17A（Ta），71A（Tc）
10V
7 毫欧 @ 11A，10V
4V @ 53µA
14.4 nC @ 10 V
±20V
1035 pF @ 30 V
-
3.6W（Ta），61W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装，可润湿侧翼
5-DFNW（4.9x5.9）（8-SOFL-WF）
8-PowerTDFN，5 引线
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS0D9N03CGT1G
MOSFET N-CH 30V 48A/298A 5DFN
onsemi
1,515
现货
21,000
工厂
1 : ¥20.52000
剪切带（CT）
1,500 : ¥9.73732
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
48A（Ta），298A（Tc）
10V
0.9 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 200µA
131.4 nC @ 10 V
±20V
9450 pF @ 15 V
-
3.8W（Ta），144W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS5C628NT1G
MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN
onsemi
84
现货
1 : ¥13.46000
剪切带（CT）
1,500 : ¥6.37081
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
28A（Ta），150A（Tc）
10V
3 毫欧 @ 27A，10V
4V @ 135µA
34 nC @ 10 V
±20V
2630 pF @ 30 V
-
3.7W（Ta），110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
显示
/ 5

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。