单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
onsemiQorvo
技术
SiCFET（共源共栅 SiCJFET）SiCFET（碳化硅）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
58A（Tc）107A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
12V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
21毫欧 @ 50A，12V56毫欧 @ 35A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4，3V @ 10mA6V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
106 nC @ 20 V218 nC @ 15 V
Vgs（最大值）
±20V+25V，-15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1762 pF @ 800 V7824 pF @ 800 V
功率耗散（最大值）
319W（Tc）517W（Tc）
供应商器件封装
TO-247-4TO-247-4L
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-4L
UF3SC120016K4S
SICFET N-CH 1200V 107A TO247-4
Qorvo
1,113
现货
1 : ¥423.95000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
1200 V
107A（Tc）
12V
21毫欧 @ 50A，12V
6V @ 10mA
218 nC @ 15 V
±20V
7824 pF @ 800 V
-
517W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4
NVH4L040N120SC1
SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
onsemi
344
现货
900
工厂
1 : ¥145.64000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
58A（Tc）
20V
56毫欧 @ 35A，20V
4，3V @ 10mA
106 nC @ 20 V
+25V，-15V
1762 pF @ 800 V
-
319W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。