单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.Vishay Siliconix
系列
OptiMOS™TrenchFET®TrenchP™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
100 V150 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13.2A(Tc)34A(Tc)35A(Tc)44A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
32 毫欧 @ 34A,10V35 毫欧 @ 35A,10V65 毫欧 @ 500mA,10V134 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA4V @ 250µA4V @ 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
29 nC @ 10 V30 nC @ 10 V55 nC @ 10 V175 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±15V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1480 pF @ 50 V2350 pF @ 100 V2410 pF @ 100 V13400 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
3.7W(Ta),52W(Tc)136W(Tc)150W(Tc)298W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TDSON-8-1PG-TO220-3PowerPAK® 1212-8TO-220-3
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® 1212-8TO-220-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

显示
/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK 1212-8
SI7113DN-T1-E3
MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK
Vishay Siliconix
15,386
现货
1 : ¥22.99000
剪切带(CT)
3,000 : ¥10.36655
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
13.2A(Tc)
4.5V,10V
134 毫欧 @ 4A,10V
3V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
1480 pF @ 50 V
-
3.7W(Ta),52W(Tc)
-50°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PG-TDSON-8-1
BSC350N20NSFDATMA1
MOSFET N-CH 200V 35A TDSON-8-1
Infineon Technologies
10,084
现货
1 : ¥24.14000
剪切带(CT)
5,000 : ¥11.26590
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
35A(Tc)
10V
35 毫欧 @ 35A,10V
4V @ 90µA
30 nC @ 10 V
±20V
2410 pF @ 100 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
TO-220-3
IPP320N20N3GXKSA1
MOSFET N-CH 200V 34A TO220-3
Infineon Technologies
5,134
现货
1 : ¥27.26000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
34A(Tc)
10V
32 毫欧 @ 34A,10V
4V @ 90µA
29 nC @ 10 V
±20V
2350 pF @ 100 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
TO-220-3
IXTP44P15T
MOSFET P-CH 150V 44A TO220AB
Littelfuse Inc.
5
现货
1 : ¥49.92000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
44A(Tc)
10V
65 毫欧 @ 500mA,10V
4V @ 250µA
175 nC @ 10 V
±15V
13400 pF @ 25 V
-
298W(Tc)
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。