单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
onsemiSTMicroelectronics
系列
-SuperFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V600 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.8A（Ta）7A（Tc）16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
111 毫欧 @ 2.9A，10V220 毫欧 @ 7A，10V600 毫欧 @ 3.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA4V @ 100µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
18.1 nC @ 10 V25.9 nC @ 10 V30 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
920 pF @ 25 V942 pF @ 30 V1350 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）
600mW（Ta）83W（Tc）105W（Tc）
供应商器件封装
6-TSOPTO-252（DPAK）TO-252AA
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
6-TSOP
NTGS5120PT1G
MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
onsemi
33,194
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.35880
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.8A（Ta）
4.5V，10V
111 毫欧 @ 2.9A，10V
3V @ 250µA
18.1 nC @ 10 V
±20V
942 pF @ 30 V
-
600mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
DPAK
STD80N240K6
N-CHANNEL 800 V, 197 MOHM TYP.,
STMicroelectronics
2,878
现货
1 : ¥42.61000
剪切带（CT）
2,500 : ¥20.75130
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
16A（Tc）
10V
220 毫欧 @ 7A，10V
4V @ 100µA
25.9 nC @ 10 V
±30V
1350 pF @ 400 V
-
105W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252AA
FCD7N60TM-WS
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
onsemi
0
现货
2,500
工厂
1 : ¥17.65000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.95024
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
7A（Tc）
10V
600 毫欧 @ 3.5A，10V
5V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±30V
920 pF @ 25 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。