单 FET，MOSFET

结果 : 3
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V100 V120 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8.6A（Ta），44A（Tc）14.9A（Ta），90A（Tc）90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.5 毫欧 @ 90A，10V6 毫欧 @ 50A，10V19 毫欧 @ 39A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.8V @ 95µA3.5V @ 90µA4V @ 42µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
34 nC @ 10 V68 nC @ 10 V71 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2300 pF @ 60 V4900 pF @ 50 V5200 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
3W（Ta），167W（Tc）69W（Tc）125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TDSON-8-1PG-TO252-3
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-TDSON-8-1
BSC190N12NS3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSON
Infineon Technologies
21,132
现货
1 : ¥11.33000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.47671
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
120 V
8.6A（Ta），44A（Tc）
10V
19 毫欧 @ 39A，10V
4V @ 42µA
34 nC @ 10 V
±20V
2300 pF @ 60 V
-
69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
BSC060N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 14.9/90A 8TDSON
Infineon Technologies
12,762
现货
1 : ¥20.28000
剪切带（CT）
5,000 : ¥8.81569
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
14.9A（Ta），90A（Tc）
6V，10V
6 毫欧 @ 50A，10V
3.5V @ 90µA
68 nC @ 10 V
±20V
4900 pF @ 50 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
TO252-3
IPD025N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Infineon Technologies
10,184
现货
1 : ¥21.02000
剪切带（CT）
2,500 : ¥9.49201
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
90A（Tc）
6V，10V
2.5 毫欧 @ 90A，10V
2.8V @ 95µA
71 nC @ 10 V
±20V
5200 pF @ 30 V
-
3W（Ta），167W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。