单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Rohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）35A（Tc）82A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.62 毫欧 @ 20A，10V8.7 毫欧 @ 17A，10V2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
87 nC @ 10 V188 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±16V+20V，-16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
25 pF @ 10 V2620 pF @ 10 V9530 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）3.8W（Ta），52.1W（Tc）6.25W（Ta），125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8PowerPAK® SO-8DCVMT3
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8PowerPAK® SO-8SOT-723
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
VMT3 Pkg
RUM002N05T2L
MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Rohm Semiconductor
749,740
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
8,000 : ¥0.39900
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
1.2V，4.5V
2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
1V @ 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
VMT3
SOT-723
PowerPAK 1212-8
SI7613DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
52,116
现货
1 : ¥5.99000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.18130
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
35A（Tc）
4.5V，10V
8.7 毫欧 @ 17A，10V
2.2V @ 250µA
87 nC @ 10 V
±16V
2620 pF @ 10 V
-
3.8W（Ta），52.1W（Tc）
-50°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK SO-8DC
SIDR392DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 82A/100A PPAK
Vishay Siliconix
10,763
现货
1 : ¥15.11000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.00512
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
82A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
0.62 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 250µA
188 nC @ 10 V
+20V，-16V
9530 pF @ 15 V
-
6.25W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8DC
PowerPAK® SO-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。