单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.onsemiSTMicroelectronics
系列
-MDmesh™ K5OptiMOS™Polar
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
漏源电压(Vdss)
60 V100 V1000 V1500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA(Tc)2A(Tc)14A(Tc)90A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
7 毫欧 @ 50A,10V900 毫欧 @ 7A,10V7.5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA3.5V @ 75µA4.5V @ 100µA5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
24.3 nC @ 10 V55 nC @ 10 V89 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
50 pF @ 25 V655 pF @ 25 V3145 pF @ 100 V4000 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
225mW(Ta)86W(Tc)114W(Tc)446W(Tc)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TDSON-8-1SOT-23-3(TO-236)TO-247-3TO-252AA
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-247-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
691,214
现货
1 : ¥2.22000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.37018
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
115mA(Tc)
5V,10V
7.5 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
PG-TDSON-8-1
BSC070N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
Infineon Technologies
15,723
现货
1 : ¥16.26000
剪切带(CT)
5,000 : ¥7.05170
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
90A(Tc)
6V,10V
7 毫欧 @ 50A,10V
3.5V @ 75µA
55 nC @ 10 V
±20V
4000 pF @ 50 V
-
114W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
TO-247-3 HiP
STW21N150K5
MOSFET N-CH 1500V 14A TO247
STMicroelectronics
404
现货
1 : ¥107.22000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1500 V
14A(Tc)
10V
900 毫欧 @ 7A,10V
5V @ 100µA
89 nC @ 10 V
±30V
3145 pF @ 100 V
-
446W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-252-3
IXTY2N100P
MOSFET N-CH 1000V 2A TO252
Littelfuse Inc.
1,065
现货
1,190
工厂
1 : ¥27.17000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1000 V
2A(Tc)
10V
7.5 欧姆 @ 500mA,10V
4.5V @ 100µA
24.3 nC @ 10 V
±20V
655 pF @ 25 V
-
86W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。