单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
CoolMOS™ C7HEXFET®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
100 V200 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
18.4A（Tc）30A（Tc）46A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.8 毫欧 @ 15A，10V45 毫欧 @ 24.9A，10V75 毫欧 @ 18A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.8V @ 250µA4V @ 1.25mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
67 nC @ 10 V93 nC @ 10 V123 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1970 pF @ 50 V2159 pF @ 25 V4340 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）
3W（Ta），6W（Tc）214W（Tc）227W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-SOICPG-TO220-3TO-247AC
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-220-3TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-3 AC EP
IRFP250NPBF
MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Infineon Technologies
7,752
现货
1 : ¥23.73000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
30A（Tc）
10V
75 毫欧 @ 18A，10V
4V @ 250µA
123 nC @ 10 V
±20V
2159 pF @ 25 V
-
214W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247AC
TO-247-3
8-SOIC
SI4190ADY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
Vishay Siliconix
1,117
现货
1 : ¥14.70000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.61010
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
18.4A（Tc）
4.5V，10V
8.8 毫欧 @ 15A，10V
2.8V @ 250µA
67 nC @ 10 V
±20V
1970 pF @ 50 V
-
3W（Ta），6W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TO-220-3
IPP65R045C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 46A TO220-3
Infineon Technologies
637
现货
1 : ¥90.72000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
46A（Tc）
10V
45 毫欧 @ 24.9A，10V
4V @ 1.25mA
93 nC @ 10 V
±20V
4340 pF @ 400 V
-
227W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。