单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®TrenchFET® Gen IIITrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）2A（Tc）9.2A（Tc）31A（Ta），100A（Tc）60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V4.5V，10V5V，10V7.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.8 毫欧 @ 15A，10V3.6 毫欧 @ 20A，10V240 毫欧 @ 2A，4.5V270 毫欧 @ 5.5A，10V7.5 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2V @ 250µA2.3V @ 250µA3.6V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.5 nC @ 4.5 V16 nC @ 10 V64 nC @ 10 V330 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V330 pF @ 25 V360 pF @ 25 V3250 pF @ 30 V12900 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）3W（Tc）6.25W（Ta），104W（Tc）60W（Tc）69.4W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8SOT-23-3（TO-236）SOT-323TO-220AB
封装/外壳
PowerPAK® SO-8SC-70，SOT-323TO-220-3TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
2N7002W-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
Diodes Incorporated
265,278
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52275
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
2V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-23-3
SQ2364EES-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Vishay Siliconix
24,185
现货
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.77589
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2A（Tc）
1.5V，4.5V
240 毫欧 @ 2A，4.5V
1V @ 250µA
2.5 nC @ 4.5 V
±8V
330 pF @ 25 V
-
3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK SO-8
SIR182DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
16,167
现货
1 : ¥13.14000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.91114
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
60A（Tc）
7.5V，10V
2.8 毫欧 @ 15A，10V
3.6V @ 250µA
64 nC @ 10 V
±20V
3250 pF @ 30 V
-
69.4W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7155DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK
Vishay Siliconix
26,943
现货
1 : ¥16.34000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.37016
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
31A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
3.6 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 250µA
330 nC @ 10 V
±20V
12900 pF @ 20 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-220AB
IRF520PBF-BE3
MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
Vishay Siliconix
3,449
现货
1 : ¥6.49000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
9.2A（Tc）
10V
270 毫欧 @ 5.5A，10V
4V @ 250µA
16 nC @ 10 V
±20V
360 pF @ 25 V
-
60W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。