单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Central Semiconductor CorponsemiRohm SemiconductorToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®U-MOSVII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Tc）140mA（Ta）200mA（Ta）250mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，2.5V1.2V，4.5V1.5V，4.5V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.2 欧姆 @ 100mA，2.5V1.4 欧姆 @ 150mA，4.5V7.5 欧姆 @ 500mA，10V8 欧姆 @ 150mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 100µA1V @ 1mA1.2V @ 250µA2.5V @ 250µA
Vgs（最大值）
±6V±8V±10V±20V40V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
25 pF @ 10 V42 pF @ 10 V50 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）225mW（Ta）250mW（Ta）350mW（Ta）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）150°C150°C（TJ）
供应商器件封装
EMT3F（SOT-416FL）SC-75ASOT-23SOT-23-3（TO-236）SSM
封装/外壳
SC-75，SOT-416SC-89，SOT-490TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1,268,451
现货
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.19539
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
200mA（Ta）
1.2V，2.5V
1.2 欧姆 @ 100mA，2.5V
1V @ 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
EMT3F（SOT-416FL）
SC-89，SOT-490
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
521,172
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.37018
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Tc）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
234,983
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.81753
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Tc）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
40V
50 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
11,191
现货
1 : ¥1.72000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.35362
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
250mA（Ta）
1.2V，4.5V
1.4 欧姆 @ 150mA，4.5V
1V @ 100µA
-
±10V
42 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C
表面贴装型
SSM
SC-75，SOT-416
Pkg 5868
SI1031R-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 140MA SC75A
Vishay Siliconix
11,390
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.87229
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
140mA（Ta）
1.5V，4.5V
8 欧姆 @ 150mA，4.5V
1.2V @ 250µA
1.5 nC @ 4.5 V
±6V
-
-
250mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SC-75A
SC-75，SOT-416
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。