单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.25A（Tc）150A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V7.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.1 毫欧 @ 30A，10V56 毫欧 @ 2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.6V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.2 nC @ 4.5 V227 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
453 pF @ 20 V10680 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
13.6W（Tc）375W（Tc）
供应商器件封装
PowerPAK® SC-70-6TO-263（D2PAK）
封装/外壳
PowerPAK® SC-70-6TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPak SC-70-6 Single
SQA470EEJ-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 2.25A PPAK SC70
Vishay Siliconix
3,000
现货
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.68659
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.25A（Tc）
2.5V，4.5V
56 毫欧 @ 2A，4.5V
1.6V @ 250µA
5.2 nC @ 4.5 V
±12V
453 pF @ 20 V
-
13.6W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
TO-263 (D2Pak)
SUM60020E-GE3
MOSFET N-CH 80V 150A TO263
Vishay Siliconix
2,254
现货
1 : ¥24.55000
剪切带（CT）
800 : ¥14.81264
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
150A（Tc）
7.5V，10V
2.1 毫欧 @ 30A，10V
4V @ 250µA
227 nC @ 10 V
±20V
10680 pF @ 40 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。