单 FET，MOSFET

结果 : 3
系列
-SuperMESH™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
650 V1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8.3A（Tc）13A（Tc）33A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
105毫欧 @ 20A，18V700 毫欧 @ 6.5A，10V1.38 欧姆 @ 4.15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 100µA4.5V @ 150µA5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
63 nC @ 18 V162 nC @ 10 V266 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+22V，-10V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1230 pF @ 800 V3500 pF @ 25 V6000 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
230W（Tc）250W（Tc）350W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
H2PAK-7TO-247-3
封装/外壳
TO-247-3TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-3 HiP
STW11NK100Z
MOSFET N-CH 1000V 8.3A TO247-3
STMicroelectronics
523
现货
1 : ¥52.79000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1000 V
8.3A（Tc）
10V
1.38 欧姆 @ 4.15A，10V
4.5V @ 100µA
162 nC @ 10 V
±30V
3500 pF @ 25 V
-
230W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 HiP
STW13NK100Z
MOSFET N-CH 1000V 13A TO247-3
STMicroelectronics
497
现货
1 : ¥67.90000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1000 V
13A（Tc）
10V
700 毫欧 @ 6.5A，10V
4.5V @ 150µA
266 nC @ 10 V
±30V
6000 pF @ 25 V
-
350W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
H2PAK-7
SCTH40N120G2V7AG
SICFET N-CH 650V 33A H2PAK-7
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥140.14000
剪切带（CT）
1,000 : ¥88.77721
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
33A（Tc）
18V
105毫欧 @ 20A，18V
5V @ 1mA
63 nC @ 18 V
+22V，-10V
1230 pF @ 800 V
-
250W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
H2PAK-7
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。