单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
STMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
STripFET™ F7TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.7A(Tc)2.6A(Ta)107A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
6 毫欧 @ 53A,10V57 毫欧 @ 3.6A,4.5V336 毫欧 @ 3.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
850mV @ 250µA2.5V @ 250µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
5.5 nC @ 4.5 V8.5 nC @ 10 V72.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
265 pF @ 25 V5600 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
710mW(Ta)2W(Tc)136W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
PowerFlat™(5x6)SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳
8-PowerVDFNTO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
SI2302CDS-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
153,679
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.87982
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.6A(Ta)
2.5V,4.5V
57 毫欧 @ 3.6A,4.5V
850mV @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
710mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
PowerFlat WF
STL115N10F7AG
MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
STMicroelectronics
18,289
现货
1 : ¥19.70000
剪切带(CT)
3,000 : ¥8.87551
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
107A(Tc)
10V
6 毫欧 @ 53A,10V
4.5V @ 250µA
72.5 nC @ 10 V
±20V
5600 pF @ 50 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
PowerFlat™(5x6)
8-PowerVDFN
SOT-23-3
SQ2309ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236
Vishay Siliconix
2
现货
1 : ¥5.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.77589
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
1.7A(Tc)
4.5V,10V
336 毫欧 @ 3.8A,10V
2.5V @ 250µA
8.5 nC @ 10 V
±20V
265 pF @ 25 V
-
2W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。