单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
EPConsemiRohm SemiconductorTexas Instruments
系列
-eGaN®NexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V25 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
210mA（Ta）1.7A（Ta）5A（Tc）60A（Tc）90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.65V，4.5V3V，8V4.5V，10V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.7 毫欧 @ 90A，10V9.9 毫欧 @ 12A，10V24 毫欧 @ 4A，8V25 毫欧 @ 3A，5V3.4 欧姆 @ 10mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.3V @ 250µA1.55V @ 250µA2.5V @ 1.5mA2.5V @ 1mA2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.1 nC @ 5 V2.8 nC @ 4.5 V14.5 nC @ 10 V28 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V+10V，-8V±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
11 pF @ 10 V258 pF @ 50 V340 pF @ 12.5 V1150 pF @ 30 V1950 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
310mW（Ta）2.3W（Ta）3W（Ta），73W（Tc）66W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
6-SON8-HSOP8-VSONP（3x3.3）SOT-723模具
封装/外壳
6-SMD，扁平引线8-PowerTDFN8-PowerVDFNSOT-723模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-723_631AA
NTK3043NT1G
MOSFET N-CH 20V 210MA SOT723
onsemi
35,551
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
4,000 : ¥0.50382
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
210mA（Ta）
1.65V，4.5V
3.4 欧姆 @ 10mA，4.5V
1.3V @ 250µA
-
±10V
11 pF @ 10 V
-
310mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-723
SOT-723
CSD-6-SON Pkg
CSD16301Q2
MOSFET N-CH 25V 5A 6SON
Texas Instruments
20,598
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.32358
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
5A（Tc）
3V，8V
24 毫欧 @ 4A，8V
1.55V @ 250µA
2.8 nC @ 4.5 V
+10V，-8V
340 pF @ 12.5 V
-
2.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-SON
6-SMD，扁平引线
8-Power TDFN
CSD18543Q3A
MOSFET N-CH 60V 60A 8VSON
Texas Instruments
36,444
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.82897
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
60A（Tc）
4.5V，10V
9.9 毫欧 @ 12A，10V
2.7V @ 250µA
14.5 nC @ 10 V
±20V
1150 pF @ 30 V
-
66W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（3x3.3）
8-PowerVDFN
EPC2051
EPC2051
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
34,866
现货
1 : ¥10.43000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.30102
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
1.7A（Ta）
5V
25 毫欧 @ 3A，5V
2.5V @ 1.5mA
2.1 nC @ 5 V
+6V，-4V
258 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
MFG_RS6P060BHTB1
RS6L090BGTB1
NCH 60V 90A, HSOP8, POWER MOSFET
Rohm Semiconductor
2,014
现货
1 : ¥13.14000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.81984
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
90A（Tc）
4.5V，10V
4.7 毫欧 @ 90A，10V
2.5V @ 1mA
28 nC @ 10 V
±20V
1950 pF @ 30 V
-
3W（Ta），73W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。