单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
OptiMOS™TrenchFET®TrenchFET® Gen III
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12.6A（Tc）40A（Tc）75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.1 毫欧 @ 16A，10V10 毫欧 @ 20A，10V19 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA2.5V @ 250µA3.3V @ 14µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
15 nC @ 10 V42 nC @ 10 V108 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1075 pF @ 30 V1500 pF @ 15 V4877 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
2.1W（Ta），36W（Tc）4.8W（Tc）83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOICPG-TSDSON-8-FLPowerPAK® SO-8
封装/外壳
8-PowerTDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）PowerPAK® SO-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-SOIC
SI4435FDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Vishay Siliconix
34,090
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.03815
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12.6A（Tc）
4.5V，10V
19 毫欧 @ 9A，10V
2.2V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 15 V
-
4.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TSDSON-8
BSZ100N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Infineon Technologies
23,696
现货
1 : ¥6.90000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.72505
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
40A（Tc）
6V，10V
10 毫欧 @ 20A，10V
3.3V @ 14µA
15 nC @ 10 V
±20V
1075 pF @ 30 V
-
2.1W（Ta），36W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
PowerPak SO-8L
SQJ433EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 30V 75A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
5,194
现货
1 : ¥11.17000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.60209
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
75A（Tc）
4.5V，10V
8.1 毫欧 @ 16A，10V
2.5V @ 250µA
108 nC @ 10 V
±20V
4877 pF @ 15 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。