单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.4A（Ta）6A（Ta）28A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
41 毫欧 @ 7.8A，10V52 毫欧 @ 7A，10V160 毫欧 @ 1.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 3.7µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 5 V25 nC @ 10 V160 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
94 pF @ 15 V1258 pF @ 25 V4600 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）3.2W（Ta），21W（Tc）5.2W（Ta），83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-WDFN（3.3x3.3）PG-SOT23PowerPAK® SO-8
封装/外壳
8-PowerWDFNPowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-WDFN
NVTFS5116PLTWG
MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
onsemi
13,282
现货
1 : ¥9.03000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.57123
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6A（Ta）
4.5V，10V
52 毫欧 @ 7A，10V
3V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1258 pF @ 25 V
-
3.2W（Ta），21W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
PowerPAK SO-8
SI7489DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
12,692
现货
1 : ¥20.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.42912
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
28A（Tc）
4.5V，10V
41 毫欧 @ 7.8A，10V
3V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4600 pF @ 50 V
-
5.2W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SOT-23-3
BSS316NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Infineon Technologies
598,961
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.36093
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.4A（Ta）
4.5V，10V
160 毫欧 @ 1.4A，10V
2V @ 3.7µA
0.6 nC @ 5 V
±20V
94 pF @ 15 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。