单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.onsemiSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-HiPerFET™, PolarOptiMOS™PolarHT™PowerTrench®SuperMESH™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
20 V60 V100 V300 V400 V800 V900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.7A（Ta）5.2A（Tc）10A（Tc）12A（Tc）36A（Tc）180A（Tc）278A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.5 毫欧 @ 100A，10V3 毫欧 @ 15A，10V70 毫欧 @ 1.7A，4.5V110 毫欧 @ 18A，10V550 毫欧 @ 6A，10V900 毫欧 @ 6A，10V1.8 欧姆 @ 2.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2.5V @ 250µA3.5V @ 275µA4V @ 250µA4.5V @ 100µA5.5V @ 250µA6.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5 nC @ 4.5 V40 nC @ 10 V56 nC @ 10 V63 nC @ 10 V70 nC @ 10 V84 nC @ 10 V200 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
310 pF @ 10 V1138 pF @ 25 V1400 pF @ 25 V2250 pF @ 25 V3080 pF @ 25 V5485 pF @ 25 V14600 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）3.1W（Ta），125W（Tc）125W（Tc）300W（Tc）380W（Tc）500W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
D2PAKPG-TO263-7-3PowerPAK® SO-8SOT-23-3TO-247AD（IXFH）TO-263（D2PAK）TO-263AA
封装/外壳
PowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-247-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263ABTO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
FDN335N
MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
onsemi
23,471
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.20589
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.7A（Ta）
2.5V，4.5V
70 毫欧 @ 1.7A，4.5V
1.5V @ 250µA
5 nC @ 4.5 V
±8V
310 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-263-7, D2Pak
IPB180N10S402ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Infineon Technologies
2,117
现货
1 : ¥49.83000
剪切带（CT）
1,000 : ¥28.27298
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
180A（Tc）
10V
2.5 毫欧 @ 100A，10V
3.5V @ 275µA
200 nC @ 10 V
±20V
14600 pF @ 25 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-7-3
TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
PowerPAK-SO-8-Single_Top
SQJA16EP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Vishay Siliconix
6,060
现货
1 : ¥12.48000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.62860
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
278A（Tc）
4.5V，10V
3 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
84 nC @ 10 V
±20V
5485 pF @ 25 V
-
500W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-263AB
IRF740SPBF
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Vishay Siliconix
1,313
现货
1 : ¥22.08000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
400 V
10A（Tc）
10V
550 毫欧 @ 6A，10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 25 V
-
3.1W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263AB
IXTA36N30P
MOSFET N-CH 300V 36A TO263
Littelfuse Inc.
1,248
现货
1 : ¥40.55000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
300 V
36A（Tc）
10V
110 毫欧 @ 18A，10V
5.5V @ 250µA
70 nC @ 10 V
±30V
2250 pF @ 25 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-247_IXFH
IXFH12N90P
MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
Littelfuse Inc.
1,149
现货
900
工厂
1 : ¥56.40000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
900 V
12A（Tc）
10V
900 毫欧 @ 6A，10V
6.5V @ 1mA
56 nC @ 10 V
±30V
3080 pF @ 25 V
-
380W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247AD（IXFH）
TO-247-3
D²PAK
STB9NK80Z
MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
STMicroelectronics
926
现货
1 : ¥18.96000
剪切带（CT）
1,000 : ¥8.99639
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
5.2A（Tc）
10V
1.8 欧姆 @ 2.6A，10V
4.5V @ 100µA
40 nC @ 10 V
±30V
1138 pF @ 25 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。