单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesRohm SemiconductorToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET® Gen IVU-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A（Ta）6A（Ta）6A（Ta），23A（Tc）43.7A（Ta），162A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，10V2.5V，10V4V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.1 毫欧 @ 10A，10V34 毫欧 @ 12A，10V42 毫欧 @ 5A，10V85 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 1mA1.5V @ 250µA2.5V @ 1mA3.5V @ 12µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5 nC @ 5 V8.2 nC @ 4.5 V9.1 nC @ 10 V53 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+12V，-6V+12V，-8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
380 pF @ 10 V560 pF @ 15 V630 pF @ 40 V3415 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
700mW（Ta）1W（Ta）2.1W（Ta），32W（Tc）3.7W（Ta），52W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TSDSON-8PowerPAK® 1212-8SOT-23FTSMT3
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® 1212-8SC-96SOT-23-3 扁平引线
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
150,812
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.62230
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6A（Ta）
1.8V，10V
42 毫欧 @ 5A，10V
1.2V @ 1mA
8.2 nC @ 4.5 V
+12V，-6V
560 pF @ 15 V
-
1W（Ta）
150°C
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
PowerPAK 1212-8
SISA40DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 43.7A/162A PPAK
Vishay Siliconix
2,736
现货
1 : ¥9.77000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.39272
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
43.7A（Ta），162A（Tc）
2.5V，10V
1.1 毫欧 @ 10A，10V
1.5V @ 250µA
53 nC @ 10 V
+12V，-8V
3415 pF @ 10 V
-
3.7W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
TSMT3
RQ5L030SNTL
MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3
Rohm Semiconductor
4,579
现货
1 : ¥5.34000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.03234
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3A（Ta）
4V，10V
85 毫欧 @ 3A，10V
2.5V @ 1mA
5 nC @ 5 V
±20V
380 pF @ 10 V
-
700mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
TSMT3
SC-96
PG-TSDSON-8
BSZ340N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON
Infineon Technologies
43,141
现货
1 : ¥6.49000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.13660
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
6A（Ta），23A（Tc）
6V，10V
34 毫欧 @ 12A，10V
3.5V @ 12µA
9.1 nC @ 10 V
±20V
630 pF @ 40 V
-
2.1W（Ta），32W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。