单 FET，MOSFET

结果 : 8
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.EPCInfineon TechnologiesToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-EeGaN®HEXFET®HEXFET®, StrongIRFET™U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V60 V100 V150 V500 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A（Ta）8A（Tc）23A（Ta），70A（Tc）29A（Ta）62A（Tc）78A（Tc）95A（Tc）101A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4.5V，10V5V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.8毫欧 @ 50A，5V5.9 毫欧 @ 57A，10V6 毫欧 @ 16A，5V8 毫欧 @ 20A，10V15.5 毫欧 @ 33A，10V52 毫欧 @ 32A，10V300 毫欧 @ 1A，10V850 毫欧 @ 4.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA2.3V @ 250µA2.5V @ 14mA2.5V @ 4mA3.7V @ 100µA4V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
7.4 nC @ 5 V8.3 nC @ 10 V23 nC @ 5 V63 nC @ 10 V70 nC @ 10 V110 nC @ 10 V344 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V+10V，-20V±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
330 pF @ 10 V851 pF @ 50 V1300 pF @ 25 V2830 pF @ 15 V3200 pF @ 50 V4010 pF @ 25 V4460 pF @ 25 V7379 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
1W（Ta）6.2W（Ta），78W（Tc）125W（Tc）310W（Tc）625W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
7-QFN（3x5）SOT-23FTO-220TO-220ABTO-247ACTO-247ADTO-251A模具
封装/外壳
7-PowerWQFNSOT-23-3 扁平引线TO-220-3TO-247-3TO-251-3 短引线，IPAK模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
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/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
244,104
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.73442
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2A（Ta）
4V，10V
300 毫欧 @ 1A，10V
2V @ 1mA
8.3 nC @ 10 V
+10V，-20V
330 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
TO-220AB PKG
IRFB7545PBF
MOSFET N-CH 60V 95A TO220
Infineon Technologies
47,527
现货
1 : ¥7.88000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
95A（Tc）
6V，10V
5.9 毫欧 @ 57A，10V
3.7V @ 100µA
110 nC @ 10 V
±20V
4010 pF @ 25 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220AB
IRF840PBF
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
3,109
现货
1 : ¥15.27000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
8A（Tc）
10V
850 毫欧 @ 4.8A，10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
EPC2302
EPC2302
TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
EPC
63,055
现货
1 : ¥54.27000
剪切带（CT）
3,000 : ¥30.13009
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
101A（Ta）
5V
1.8毫欧 @ 50A，5V
2.5V @ 14mA
23 nC @ 5 V
+6V，-4V
3200 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
7-QFN（3x5）
7-PowerWQFN
TO-251A
AOI21357
MOSFET P-CH 30V 23A/70A TO251A
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
3,085
现货
1 : ¥5.91000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
23A（Ta），70A（Tc）
4.5V，10V
8 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 250µA
70 nC @ 10 V
±25V
2830 pF @ 15 V
-
6.2W（Ta），78W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-251A
TO-251-3 短引线，IPAK
TO-247-3 AC EP
IRFP4321PBF
MOSFET N-CH 150V 78A TO247AC
Infineon Technologies
6,376
现货
1 : ¥23.32000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
78A（Tc）
10V
15.5 毫欧 @ 33A，10V
5V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±30V
4460 pF @ 25 V
-
310W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
SQW61N65EF-GE3
SQW61N65EF-GE3
MOSFET N-CH 650V 62A TO247AD
Vishay Siliconix
277
现货
1 : ¥68.31000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
62A（Tc）
-
52 毫欧 @ 32A，10V
4V @ 250µA
344 nC @ 10 V
±30V
7379 pF @ 100 V
-
625W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247AD
TO-247-3
EPC2204
EPC2204
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
EPC
0
现货
查看交期
1 : ¥19.79000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.93286
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
29A（Ta）
5V
6 毫欧 @ 16A，5V
2.5V @ 4mA
7.4 nC @ 5 V
+6V，-4V
851 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
模具
模具
显示
/ 8

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。