单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-HEXFET®
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
55 V100 V500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.6A（Tc）6.8A（Tc）8A（Tc）9.7A（Tc）14A（Tc）42A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
20 毫欧 @ 42A，10V160 毫欧 @ 8.4A，10V200 毫欧 @ 5.7A，10V200 毫欧 @ 8.4A，10V540 毫欧 @ 3.4A，10V600 毫欧 @ 4.1A，10V850 毫欧 @ 4.8A，10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8.3 nC @ 10 V18 nC @ 10 V25 nC @ 10 V26 nC @ 10 V58 nC @ 10 V63 nC @ 10 V180 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
180 pF @ 25 V330 pF @ 25 V390 pF @ 25 V670 pF @ 25 V760 pF @ 25 V1300 pF @ 25 V3500 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
43W（Tc）48W（Tc）60W（Tc）79W（Tc）88W（Tc）125W（Tc）170W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
TO-220ABTO-262
封装/外壳
TO-220-3TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB PKG
IRF9530NPBF
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
Infineon Technologies
31,570
现货
1 : ¥7.64000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
14A（Tc）
10V
200 毫欧 @ 8.4A，10V
4V @ 250µA
58 nC @ 10 V
±20V
760 pF @ 25 V
-
79W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRF530PBF
MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Vishay Siliconix
8,592
现货
1 : ¥11.08000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
14A（Tc）
10V
160 毫欧 @ 8.4A，10V
4V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±20V
670 pF @ 25 V
-
88W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-262-3
IRF4905LPBF
MOSFET P-CH 55V 42A TO262
Infineon Technologies
4,663
现货
1 : ¥15.11000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
42A（Tc）
10V
20 毫欧 @ 42A，10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
3500 pF @ 25 V
-
170W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-262
TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
TO-220AB
IRF840PBF
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
3,259
现货
1 : ¥15.27000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
8A（Tc）
10V
850 毫欧 @ 4.8A，10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRF510PBF
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
46,112
现货
1 : ¥6.24000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
5.6A（Tc）
10V
540 毫欧 @ 3.4A，10V
4V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±20V
180 pF @ 25 V
-
43W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF520NPBF
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB
Infineon Technologies
3,205
现货
1 : ¥7.55000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
9.7A（Tc）
10V
200 毫欧 @ 5.7A，10V
4V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
330 pF @ 25 V
-
48W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRF9520PBF
MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB
Vishay Siliconix
8,616
现货
1 : ¥10.18000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
6.8A（Tc）
10V
600 毫欧 @ 4.1A，10V
4V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
390 pF @ 25 V
-
60W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。