单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

IRF640NPBF MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB Infineon Technologies	51,919 现货	1 : ¥6.81000 管件	HEXFET®	管件	不适用于新设计	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	18A（Tc）	10V	150 毫欧 @ 11A，10V	4V @ 250µA	67 nC @ 10 V	±20V	1160 pF @ 25 V	-	150W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IRF530PBF MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB Vishay Siliconix	8,522 现货	1 : ¥11.08000 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	14A（Tc）	10V	160 毫欧 @ 8.4A，10V	4V @ 250µA	26 nC @ 10 V	±20V	670 pF @ 25 V	-	88W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IRF9540NPBF MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB Infineon Technologies	2,478 现货	1 : ¥11.41000 管件	HEXFET®	管件	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	23A（Tc）	10V	117 毫欧 @ 11A，10V	4V @ 250µA	97 nC @ 10 V	±20V	1300 pF @ 25 V	-	140W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IRF540PBF MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB Vishay Siliconix	31,711 现货	1 : ¥11.90000 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	28A（Tc）	10V	77 毫欧 @ 17A，10V	4V @ 250µA	72 nC @ 10 V	±20V	1700 pF @ 25 V	-	150W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IRF840PBF MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB Vishay Siliconix	3,098 现货	1 : ¥15.27000 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	8A（Tc）	10V	850 毫欧 @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1300 pF @ 25 V	-	125W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IRF740PBF MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB Vishay Siliconix	2,563 现货	1 : ¥16.09000 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	400 V	10A（Tc）	10V	550 毫欧 @ 6A，10V	4V @ 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1400 pF @ 25 V	-	125W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IRFP240PBF MOSFET N-CH 200V 20A TO247-3 Vishay Siliconix	2,868 现货	1 : ¥23.32000 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	20A（Tc）	10V	180 毫欧 @ 12A，10V	4V @ 250µA	70 nC @ 10 V	±20V	1300 pF @ 25 V	-	150W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-247AC	TO-247-3
IRF710PBF MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB Vishay Siliconix	6,471 现货	1 : ¥6.16000 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	400 V	2A（Tc）	10V	3.6 欧姆 @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	17 nC @ 10 V	±20V	170 pF @ 25 V	-	36W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IRF630NPBF MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB Infineon Technologies	7,649 现货	1 : ¥9.28000 管件	HEXFET®	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	9.3A（Tc）	10V	300 毫欧 @ 5.4A，10V	4V @ 250µA	35 nC @ 10 V	±20V	575 pF @ 25 V	-	82W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IRF640PBF MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB Vishay Siliconix	2,149 现货	1 : ¥15.68000 散装	-	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	18A（Tc）	10V	180 毫欧 @ 11A，10V	4V @ 250µA	70 nC @ 10 V	±20V	1300 pF @ 25 V	-	125W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IRF740SPBF MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK Vishay Siliconix	1,313 现货	1 : ¥22.08000 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	400 V	10A（Tc）	10V	550 毫欧 @ 6A，10V	4V @ 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1400 pF @ 25 V	-	3.1W（Ta），125W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	TO-263（D2PAK）	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRF630PBF MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB Vishay Siliconix	5,210 现货	1 : ¥12.07000 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	9A（Tc）	10V	400 毫欧 @ 5.4A，10V	4V @ 250µA	43 nC @ 10 V	±20V	800 pF @ 25 V	-	74W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IRF730 N-CHANNEL, MOSFET Harris Corporation	24,533 市场	不可用对您所选的货币不可用	PowerMESH™ II	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	400 V	5.5A（Tc）	10V	1 欧姆 @ 3A，10V	4V @ 250µA	24 nC @ 10 V	±20V	530 pF @ 25 V	-	100W（Tc）	150°C（TJ）	通孔	TO-220	TO-220-3