单 FET，MOSFET

结果 : 14
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.Vishay Siliconix
系列
-HEXFET®TrenchP™
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
50 V55 V100 V150 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.6A（Tc）12A（Tc）20A（Tc）23A（Tc）31A（Tc）32A（Tc）33A（Tc）40A（Tc）41A（Tc）42A（Tc）44A（Tc）65A（Tc）74A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
20 毫欧 @ 38A，10V25 毫欧 @ 46A，10V36 毫欧 @ 23A，10V39 毫欧 @ 500mA，10V52 毫欧 @ 16A，10V55 毫欧 @ 25A，10V60 毫欧 @ 24A，10V65 毫欧 @ 16A，10V65 毫欧 @ 500mA，10V77 毫欧 @ 19A，10V117 毫欧 @ 13A，10V180 毫欧 @ 12A，10V500 毫欧 @ 7.2A，10V540 毫欧 @ 3.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA4.5V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8.3 nC @ 10 V44 nC @ 10 V46 nC @ 10 V63 nC @ 10 V70 nC @ 10 V72 nC @ 10 V94 nC @ 10 V97 nC @ 10 V98 nC @ 10 V110 nC @ 10 V140 nC @ 10 V175 nC @ 10 V180 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±15V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
180 pF @ 25 V1200 pF @ 25 V1300 pF @ 25 V1400 pF @ 25 V1700 pF @ 25 V1900 pF @ 25 V1975 pF @ 25 V2700 pF @ 25 V2800 pF @ 25 V3400 pF @ 25 V4600 pF @ 25 V13400 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
43W（Tc）83W（Tc）110W（Tc）140W（Tc）150W（Tc）160W（Tc）180W（Tc）200W（Tc）230W（Tc）298W（Tc）330W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
IPAK（TO-251AA）TO-220-3TO-220ABTO-247（IXTH）TO-247AC
封装/外壳
TO-220-3TO-247-3TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
14结果
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/ 14
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IPAK (TO-251)
IRFU5305PBF
MOSFET P-CH 55V 31A IPAK
Infineon Technologies
13,682
现货
1 : ¥8.70000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
31A（Tc）
10V
65 毫欧 @ 16A，10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
IPAK（TO-251AA）
TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
TO-220AB PKG
IRF4905PBF
MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB
Infineon Technologies
39,595
现货
1 : ¥17.40000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
74A（Tc）
10V
20 毫欧 @ 38A，10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
3400 pF @ 25 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF5210PBF
MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
Infineon Technologies
7,430
现货
1 : ¥19.79000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
40A（Tc）
10V
60 毫欧 @ 24A，10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 25 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-247-3 AC EP
IRFP240PBF
MOSFET N-CH 200V 20A TO247-3
Vishay Siliconix
2,868
现货
1 : ¥23.32000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
20A（Tc）
10V
180 毫欧 @ 12A，10V
4V @ 250µA
70 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP4227PBF
MOSFET N-CH 200V 65A TO247AC
Infineon Technologies
3,457
现货
1 : ¥34.97000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
65A（Tc）
10V
25 毫欧 @ 46A，10V
5V @ 250µA
98 nC @ 10 V
±30V
4600 pF @ 25 V
-
330W（Tc）
-40°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-220AB
IRF510PBF
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
45,910
现货
1 : ¥6.24000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
5.6A（Tc）
10V
540 毫欧 @ 3.4A，10V
4V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±20V
180 pF @ 25 V
-
43W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-247-3 AC EP
IRFP9140NPBF
MOSFET P-CH 100V 23A TO247AC
Infineon Technologies
898
现货
1 : ¥18.39000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
23A（Tc）
10V
117 毫欧 @ 13A，10V
4V @ 250µA
97 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
140W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP150NPBF
MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC
Infineon Technologies
1,592
现货
1 : ¥20.11000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
42A（Tc）
10V
36 毫欧 @ 23A，10V
4V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 25 V
-
160W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP140PBF
MOSFET N-CH 100V 31A TO247-3
Vishay Siliconix
510
现货
1 : ¥32.76000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
31A（Tc）
10V
77 毫欧 @ 19A，10V
4V @ 250µA
72 nC @ 10 V
±20V
1700 pF @ 25 V
-
180W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP150PBF
MOSFET N-CH 100V 41A TO247-3
Vishay Siliconix
437
现货
1 : ¥33.66000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
41A（Tc）
10V
55 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 250µA
140 nC @ 10 V
±20V
2800 pF @ 25 V
-
230W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-220-3
IXTP32P05T
MOSFET P-CH 50V 32A TO220AB
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥21.84000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
32A（Tc）
10V
39 毫欧 @ 500mA，10V
4.5V @ 250µA
46 nC @ 10 V
±15V
1975 pF @ 25 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-247-3 AC EP
IRFP140NPBF
MOSFET N-CH 100V 33A TO247AC
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥16.99000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
33A（Tc）
10V
52 毫欧 @ 16A，10V
4V @ 250µA
94 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 25 V
-
140W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP9240PBF
MOSFET P-CH 200V 12A TO247-3
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥25.53000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
12A（Tc）
10V
500 毫欧 @ 7.2A，10V
4V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-AD-EP-(H)
IXTH44P15T
MOSFET P-CH 150V 44A TO247
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥64.04000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
44A（Tc）
10V
65 毫欧 @ 500mA，10V
4V @ 250µA
175 nC @ 10 V
±15V
13400 pF @ 25 V
-
298W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247（IXTH）
TO-247-3
显示
/ 14

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。