单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesRohm Semiconductor
系列
-HEXFET®OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130mA（Ta）2A（Ta）2.4A（Ta）3.5A（Ta）3.6A（Ta）3.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4.5V，10V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
50 毫欧 @ 7.8A，10V62 毫欧 @ 3.5A，10V64 毫欧 @ 3.6A，10V80 毫欧 @ 2A，10V120 毫欧 @ 2.5A，10V10 欧姆 @ 100mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2V @ 11µA2V @ 1mA2.4V @ 10µA2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.9 nC @ 10 V4.8 nC @ 4.5 V5 nC @ 10 V7.4 nC @ 5 V12.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
45 pF @ 25 V190 pF @ 25 V290 pF @ 10 V388 pF @ 25 V500 pF @ 15 V600 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）300mW（Ta）500mW（Ta）1.1W（Ta）1.25W（Ta）1.3W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23PG-SOT23SOT-23-3SOT-23-6SOT-323TSMT6（SC-95）
封装/外壳
SC-70，SOT-323SOT-23-6SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
446,424
现货
12,507,000
工厂
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32716
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
5V
10 欧姆 @ 100mA，5V
2V @ 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-323
BSS84W-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323
Diodes Incorporated
353,846
现货
7,761,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.57291
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
5V
10 欧姆 @ 100mA，5V
2V @ 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-23-3
BSS308PEH6327XTSA1
MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
Infineon Technologies
307,827
现货
1 : ¥4.60000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.03405
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2A（Ta）
4.5V，10V
80 毫欧 @ 2A，10V
2V @ 11µA
5 nC @ 10 V
±20V
500 pF @ 15 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-6
ZXMN3A01E6TA
MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
Diodes Incorporated
138,507
现货
171,000
工厂
1 : ¥4.60000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.74612
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.4A（Ta）
4.5V，10V
120 毫欧 @ 2.5A，10V
1V @ 250µA
3.9 nC @ 10 V
±20V
190 pF @ 25 V
-
1.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-6
SOT-23-6
SOT-23-3
IRLML9301TRPBF
MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT23
Infineon Technologies
89,915
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.93953
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.6A（Ta）
4.5V，10V
64 毫欧 @ 3.6A，10V
2.4V @ 10µA
4.8 nC @ 4.5 V
±20V
388 pF @ 25 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-6
ZXMN3A03E6TA
MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6
Diodes Incorporated
31,328
现货
18,000
工厂
1 : ¥6.65000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.52802
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.7A（Ta）
4.5V，10V
50 毫欧 @ 7.8A，10V
1V @ 250µA
12.6 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 25 V
-
1.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-6
SOT-23-6
TSMT6_TSMT6 Pkg
RSQ035N03TR
MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6
Rohm Semiconductor
2,079
现货
1 : ¥5.99000
剪切带（CT）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.5A（Ta）
4V，10V
62 毫欧 @ 3.5A，10V
2.5V @ 1mA
7.4 nC @ 5 V
20V
290 pF @ 10 V
-
1.25W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TSMT6（SC-95）
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。