单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

IRLML6401TRPBF MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23 Infineon Technologies	109,684 现货	1 : ¥3.28000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.88630 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	12 V	4.3A（Ta）	1.8V，4.5V	50 毫欧 @ 4.3A，4.5V	950mV @ 250µA	15 nC @ 5 V	±8V	830 pF @ 10 V	-	1.3W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	Micro3™/SOT-23	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
IRLML2803TRPBF MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23 Infineon Technologies	127,535 现货	1 : ¥3.61000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.80294 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	1.2A（Ta）	4.5V，10V	250 毫欧 @ 910mA，10V	1V @ 250µA	5 nC @ 10 V	±20V	85 pF @ 25 V	-	540mW（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	Micro3™/SOT-23	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
IRLML6402TRPBF MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23 Infineon Technologies	150,214 现货	1 : ¥4.60000 剪切带（CT） 3,000 : ¥1.03878 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	3.7A（Ta）	2.5V，4.5V	65 毫欧 @ 3.7A，4.5V	1.2V @ 250µA	12 nC @ 5 V	±12V	633 pF @ 10 V	-	1.3W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	Micro3™/SOT-23	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
IRFR5305TRPBF MOSFET P-CH 55V 31A DPAK Infineon Technologies	9,938 现货	1 : ¥8.21000 剪切带（CT） 2,000 : ¥3.39541 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	55 V	31A（Tc）	10V	65 毫欧 @ 16A，10V	4V @ 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1200 pF @ 25 V	-	110W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SI7315DN-T1-GE3 MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8 Vishay Siliconix	11,035 现货	1 : ¥9.93000 剪切带（CT） 3,000 : ¥4.12542 卷带（TR）	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	150 V	8.9A（Tc）	7.5V，10V	315 毫欧 @ 2.4A，10V	4V @ 250µA	30 nC @ 10 V	±30V	880 pF @ 75 V	-	3.8W（Ta），52W（Tc）	-50°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PowerPAK® 1212-8	PowerPAK® 1212-8
SI3440ADV-T1-GE3 MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP Vishay Siliconix	11,085 现货	1 : ¥3.69000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.99918 卷带（TR）	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	150 V	2.2A（Tc）	7.5V，10V	380 毫欧 @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	4 nC @ 10 V	±20V	80 pF @ 75 V	-	3.6W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	6-TSOP	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
IPD80R1K4P7ATMA1 MOSFET N-CH 800V 4A TO252 Infineon Technologies	17,257 现货	1 : ¥8.21000 剪切带（CT） 2,500 : ¥3.39769 卷带（TR）	CoolMOS™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	800 V	4A（Tc）	10V	1.4 欧姆 @ 1.4A，10V	3.5V @ 700µA	10 nC @ 10 V	±20V	250 pF @ 500 V	-	32W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TO252-2	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SI9407BDY-T1-GE3 MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO Vishay Siliconix	16,629 现货	1 : ¥8.87000 剪切带（CT） 2,500 : ¥3.66026 卷带（TR）	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	4.7A（Tc）	4.5V，10V	120 毫欧 @ 3.2A，10V	3V @ 250µA	22 nC @ 10 V	±20V	600 pF @ 30 V	-	2.4W（Ta），5W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-SOIC	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
SSM3J145TU,LXHF SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V Toshiba Semiconductor and Storage	6,846 现货	1 : ¥3.94000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.87861 卷带（TR）	U-MOSVI	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	3A（Ta）	1.5V，4.5V	103 毫欧 @ 1A，4.5V	1V @ 1mA	4.6 nC @ 4.5 V	+6V，-8V	270 pF @ 10 V	-	500mW（Ta）	150°C	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	UFM	3-SMD，扁平引线
TN5325N8-G MOSFET N-CH 250V 316MA TO243AA Microchip Technology	3,971 现货	1 : ¥6.40000 剪切带（CT） 2,000 : ¥4.84361 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	316mA（Tj）	4.5V，10V	7 欧姆 @ 1A，10V	2V @ 1mA	-	±20V	110 pF @ 25 V	-	1.6W（Ta）	-	-	-	表面贴装型	TO-243AA（SOT-89）	TO-243AA