单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-HEXFET®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V20 V30 V55 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
310mA（Ta）3.1A（Tc）4.3A（Ta）11A（Tc）74A（Tc）86A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，4.5V4.5V，10V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.8 毫欧 @ 25A，10V20 毫欧 @ 38A，10V50 毫欧 @ 4.3A，4.5V112 毫欧 @ 2.8A，4.5V175 毫欧 @ 6.6A，10V3 欧姆 @ 115mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
950mV @ 250µA1V @ 250µA2V @ 250µA2.35V @ 50µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.87 nC @ 10 V10 nC @ 4.5 V15 nC @ 5 V19 nC @ 10 V23 nC @ 4.5 V180 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
22 pF @ 25 V350 pF @ 25 V405 pF @ 10 V830 pF @ 10 V2150 pF @ 15 V3400 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
370mW（Ta）860mW（Ta），1.6W（Tc）1.3W（Ta）38W（Tc）75W（Tc）200W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TO-220ABTO-252AA (DPAK)
封装/外壳
TO-220-3TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
SI2301CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
161,433
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.82533
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.1A（Tc）
2.5V，4.5V
112 毫欧 @ 2.8A，4.5V
1V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
405 pF @ 10 V
-
860mW（Ta），1.6W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6401TRPBF
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Infineon Technologies
123,816
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.88633
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
4.3A（Ta）
1.8V，4.5V
50 毫欧 @ 4.3A，4.5V
950mV @ 250µA
15 nC @ 5 V
±8V
830 pF @ 10 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO252-3
IRLR8726TRPBF
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Infineon Technologies
17,827
现货
1 : ¥5.09000
剪切带（CT）
2,000 : ¥1.70863
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
86A（Tc）
4.5V，10V
5.8 毫欧 @ 25A，10V
2.35V @ 50µA
23 nC @ 4.5 V
±20V
2150 pF @ 15 V
-
75W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IRFR9024NTRPBF
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Infineon Technologies
21,510
现货
1 : ¥7.72000
剪切带（CT）
2,000 : ¥3.17642
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
11A（Tc）
10V
175 毫欧 @ 6.6A，10V
4V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
38W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-220AB PKG
IRF4905PBF
MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB
Infineon Technologies
40,818
现货
1 : ¥17.40000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
74A（Tc）
10V
20 毫欧 @ 38A，10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
3400 pF @ 25 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
SOT-23-3
DMN65D8L-7
MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Diodes Incorporated
378,326
现货
852,000
工厂
1 : ¥1.40000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.23992
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
310mA（Ta）
5V，10V
3 欧姆 @ 115mA，10V
2V @ 250µA
0.87 nC @ 10 V
±20V
22 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。