单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.onsemiTexas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-NexFET™PowerTrench®TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
25.1A（Ta），100A（Tc）26A（Tc）45.6A（Ta）60A（Tc）80A（Tc）100A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V7.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 毫欧 @ 20A，10V2.2 毫欧 @ 28A，10V4.5 毫欧 @ 20A，10V6.4 毫欧 @ 80A，10V6.8mOhm @ 18A，10V9.9 毫欧 @ 12A，10V40 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 250µA2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA2.7V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
14.5 nC @ 10 V20 nC @ 10 V43 nC @ 10 V53 nC @ 10 V54 nC @ 10 V62 nC @ 10 V135 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1150 pF @ 30 V1500 pF @ 30 V2220 pF @ 50 V3400 pF @ 50 V3600 pF @ 30 V4230 pF @ 30 V5900 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），60W（Tc）3.1W（Ta），195W（Tc）3.2W（Ta），116W（Tc）6W（Ta），96.2W（Tc）6.25W（Ta），125W（Tc）66W（Tc）214W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
8-DFN（5.1x6.3）8-VSON-CLIP（5x6）8-VSONP（3x3.3）8-VSONP（5x6）PowerPAK® SO-8PowerPAK® SO-8DCTO-252（DPAK）
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNPowerPAK® SO-8TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
26,098
现货
1 : ¥7.22000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.99940
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
26A（Tc）
4.5V，10V
40 毫欧 @ 20A，10V
2.4V @ 250µA
54 nC @ 10 V
±20V
3600 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），60W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
8-Power TDFN
CSD18543Q3A
MOSFET N-CH 60V 60A 8VSON
Texas Instruments
35,767
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.82897
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
60A（Tc）
4.5V，10V
9.9 毫欧 @ 12A，10V
2.7V @ 250µA
14.5 nC @ 10 V
±20V
1150 pF @ 30 V
-
66W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-VSONP（3x3.3）
8-PowerVDFN
8-Power TDFN
CSD18563Q5A
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Texas Instruments
47,609
现货
1 : ¥11.74000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.86694
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Ta）
4.5V，10V
6.8mOhm @ 18A，10V
2.4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 30 V
-
3.2W（Ta），116W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
CSD18540Q5B
CSD18540Q5B
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Texas Instruments
4,839
现货
1 : ¥19.38000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.74935
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Ta）
4.5V，10V
2.2 毫欧 @ 28A，10V
2.3V @ 250µA
53 nC @ 10 V
±20V
4230 pF @ 30 V
-
3.1W（Ta），195W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-VSON-CLIP（5x6）
8-PowerTDFN
8-DFN
FDWS86068-F085
MOSFET N-CH 100V 80A 8DFN
onsemi
603
现货
1 : ¥27.91000
剪切带（CT）
3,000 : ¥13.60173
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
80A（Tc）
10V
6.4 毫欧 @ 80A，10V
4V @ 250µA
43 nC @ 10 V
±20V
2220 pF @ 50 V
-
214W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-DFN（5.1x6.3）
8-PowerTDFN
PowerPAK-SO-8-Single_Top
SIR512DP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Vishay Siliconix
4,566
现货
1 : ¥16.75000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.56536
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
25.1A（Ta），100A（Tc）
7.5V，10V
4.5 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 250µA
62 nC @ 10 V
±20V
3400 pF @ 50 V
-
6W（Ta），96.2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SIDR626LDP-T1-RE3
SIDR626LDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAK
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥30.70000
剪切带（CT）
3,000 : ¥10.82641
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
45.6A（Ta）
4.5V，10V
1.5 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
135 nC @ 10 V
±20V
5900 pF @ 30 V
-
6.25W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8DC
PowerPAK® SO-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。