单 FET，MOSFET

结果 : 14
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon Technologiesonsemi
系列
-HEXFET®OptiMOS™PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V60 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
320mA（Ta）4.2A（Ta）10A（Ta）13A（Tc）13.6A（Ta）14A（Ta）16A（Ta）17A（Ta）18A（Ta）20A（Ta）21A（Ta）26A（Ta），32A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V8V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3 毫欧 @ 20A，10V3.3 毫欧 @ 22A，10V3.6 毫欧 @ 20A，10V3.7 毫欧 @ 20A，10V4 毫欧 @ 20A，10V4.5 毫欧 @ 18A，10V5 毫欧 @ 17A，10V5.8 毫欧 @ 20A，10V8.7 毫欧 @ 14A，10V9.1 毫欧 @ 13A，10V20 毫欧 @ 5.6A，10V38 毫欧 @ 3.6A，4.5V295 毫欧 @ 6.6A，10V1.6 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2V @ 250µA2.2V @ 250µA2.25V @ 250µA2.3V @ 250µA2.35V @ 100µA2.35V @ 250µA2.35V @ 25µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 4.5 V7 nC @ 4.5 V12 nC @ 4.5 V14 nC @ 4.5 V22.5 nC @ 10 V40 nC @ 10 V45 nC @ 4.5 V50 nC @ 4.5 V60 nC @ 4.5 V66 nC @ 10 V73 nC @ 10 V90 nC @ 10 V92 nC @ 10 V124 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
24.5 pF @ 20 V594.3 pF @ 10 V860 pF @ 25 V951 pF @ 15 V1010 pF @ 15 V1020 pF @ 15 V1700 pF @ 25 V1835 pF @ 15 V4090 pF @ 15 V4500 pF @ 20 V5700 pF @ 15 V6240 pF @ 15 V6410 pF @ 30 V9600 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
300mW（Ta）800mW（Ta）1.56W（Ta）2.5W（Ta）2.5W（Ta），5W（Tc）3.1W（Ta）3.1W（Ta），62.5W（Tc）110W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 155°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-DFN-EP（3x3）8-SO8-SOICPG-DSO-8SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TO-252AA (DPAK)
封装/外壳
8-PowerVDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
14结果
显示
/ 14
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
2N7002K
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
onsemi
227,759
现货
363,000
工厂
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.49897
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
320mA（Ta）
4.5V，10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.3V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
24,958
现货
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.58991
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
20A（Ta）
4.5V，10V
5.8 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 250µA
22.5 nC @ 10 V
±20V
951 pF @ 15 V
-
3.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
IRF8714TRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Infineon Technologies
26,977
现货
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
4,000 : ¥1.91411
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
14A（Ta）
4.5V，10V
8.7 毫欧 @ 14A，10V
2.35V @ 25µA
12 nC @ 4.5 V
±20V
1020 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
IRF7416TRPBF
MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Infineon Technologies
47,560
现货
1 : ¥7.96000
剪切带（CT）
4,000 : ¥3.28676
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
10A（Ta）
4.5V，10V
20 毫欧 @ 5.6A，10V
1V @ 250µA
92 nC @ 10 V
±20V
1700 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TO252-3
IRFR6215TRPBF
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Infineon Technologies
4,416
现货
1 : ¥11.49000
剪切带（CT）
2,000 : ¥4.76603
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
13A（Tc）
10V
295 毫欧 @ 6.6A，10V
4V @ 250µA
66 nC @ 10 V
±20V
860 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRF7842TRPBF
MOSFET N-CH 40V 18A 8SO
Infineon Technologies
22,379
现货
1 : ¥13.22000
剪切带（CT）
4,000 : ¥5.45982
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
18A（Ta）
4.5V，10V
5 毫欧 @ 17A，10V
2.25V @ 250µA
50 nC @ 4.5 V
±20V
4500 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
SOT-23-3
DMN2075U-7
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Diodes Incorporated
20,588
现货
12,105,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.57289
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.2A（Ta）
2.5V，4.5V
38 毫欧 @ 3.6A，4.5V
1V @ 250µA
7 nC @ 4.5 V
±8V
594.3 pF @ 10 V
-
800mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-DFN
AON7508
MOSFET N-CH 30V 26A/32A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
40,350
现货
1 : ¥4.43000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.08316
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
26A（Ta），32A（Tc）
4.5V，10V
3 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
1835 pF @ 15 V
-
3.1W（Ta），62.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN-EP（3x3）
8-PowerVDFN
IRF7821TRPBF
MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
Infineon Technologies
11,807
现货
1 : ¥8.54000
剪切带（CT）
4,000 : ¥3.52104
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
13.6A（Ta）
4.5V，10V
9.1 毫欧 @ 13A，10V
1V @ 250µA
14 nC @ 4.5 V
±20V
1010 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 155°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
IRF7862TRPBF
MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Infineon Technologies
16,184
现货
1 : ¥8.70000
剪切带（CT）
4,000 : ¥3.58557
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
21A（Ta）
4.5V，10V
3.7 毫欧 @ 20A，10V
2.35V @ 100µA
45 nC @ 4.5 V
±20V
4090 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
7,338
现货
1 : ¥11.90000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.91316
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
16A（Ta）
4.5V，10V
4 毫欧 @ 20A，10V
2V @ 250µA
73 nC @ 10 V
±20V
5700 pF @ 15 V
-
1.56W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-DSO-8
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
FDS86540
MOSFET N-CH 60V 18A 8SOIC
onsemi
9,064
现货
2,500
工厂
1 : ¥26.11000
剪切带（CT）
2,500 : ¥12.70386
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
18A（Ta）
8V，10V
4.5 毫欧 @ 18A，10V
4V @ 250µA
90 nC @ 10 V
±20V
6410 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
IRF7831TRPBF
MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Infineon Technologies
9,089
现货
1 : ¥10.10000
剪切带（CT）
4,000 : ¥4.17524
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
21A（Ta）
4.5V，10V
3.6 毫欧 @ 20A，10V
2.35V @ 250µA
60 nC @ 4.5 V
±12V
6240 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
21,640
现货
1 : ¥17.40000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.10782
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
17A（Ta）
4.5V，10V
3.3 毫欧 @ 22A，10V
2V @ 250µA
124 nC @ 10 V
±20V
9600 pF @ 15 V
-
1.56W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-DSO-8
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
/ 14

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。