单 FET,MOSFET

结果 : 14
制造商
Diodes IncorporatedHarris CorporationInfineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
-HEXFET®SIPMOS®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V55 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.3A(Ta)5.6A(Tc)6.6A(Tc)7.7A(Tc)8A(Tc)8.83A(Ta)9.4A(Tc)10A(Tc)11A(Tc)12A(Tc)13A(Tc)17A(Tc)33A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.7V,4.5V4V,10V4.5V,10V6.2V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
44 毫欧 @ 16A,10V75 毫欧 @ 10A,10V90 毫欧 @ 9A,10V140 毫欧 @ 5A,10V160 毫欧 @ 1.5A,4.5V175 毫欧 @ 6.6A,10V185 毫欧 @ 6A,10V205 毫欧 @ 7.8A,10V210 毫欧 @ 5.6A,10V270 毫欧 @ 4.6A,10V300 毫欧 @ 10A,6.2V300 毫欧 @ 4A,10V480 毫欧 @ 3.9A,10V600 毫欧 @ 3.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA2V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
5 nC @ 4.5 V9.7 nC @ 10 V13 nC @ 10 V15 nC @ 10 V16 nC @ 10 V18 nC @ 10 V19 nC @ 10 V20 nC @ 5 V20 nC @ 10 V25 nC @ 10 V27 nC @ 10 V37 nC @ 10 V58 nC @ 10 V71 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
162 pF @ 10 V330 pF @ 25 V350 pF @ 25 V360 pF @ 25 V370 pF @ 25 V390 pF @ 25 V420 pF @ 25 V440 pF @ 25 V600 pF @ 25 V760 pF @ 25 V920 pF @ 25 V1167 pF @ 25 V1960 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
500mW(Ta)2.5W(Ta),42W(Tc)38W(Tc)40W(Tc)42W(Tc)45W(Tc)48W(Tc)66W(Tc)70W(Tc)130W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
DPAKPG-TO252-3SOT-23-3TO-220ABTO-252-3TO-252AA (DPAK)TO-3
封装/外壳
TO-204AATO-220-3TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
14结果

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/ 14
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252-2
DMN10H170SK3-13
MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
Diodes Incorporated
133,942
现货
237,500
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.61631
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
12A(Tc)
4.5V,10V
140 毫欧 @ 5A,10V
3V @ 250µA
9.7 nC @ 10 V
±20V
1167 pF @ 25 V
-
42W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
SOT-23-3
NDS331N
MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
onsemi
145,185
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.20594
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
1.3A(Ta)
2.7V,4.5V
160 毫欧 @ 1.5A,4.5V
1V @ 250µA
5 nC @ 4.5 V
±8V
162 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO252-3
IRFR024NTRPBF
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Infineon Technologies
162,458
现货
1 : ¥5.09000
剪切带(CT)
2,000 : ¥2.40753
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
17A(Tc)
10V
75 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
370 pF @ 25 V
-
45W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220AB PKG
IRF540NPBF
MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Infineon Technologies
134,889
现货
1 : ¥7.14000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
33A(Tc)
10V
44 毫欧 @ 16A,10V
4V @ 250µA
71 nC @ 10 V
±20V
1960 pF @ 25 V
-
130W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF530NPBF
MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
Infineon Technologies
36,174
现货
1 : ¥7.47000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
17A(Tc)
10V
90 毫欧 @ 9A,10V
4V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
920 pF @ 25 V
-
70W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO252-3
IRFR9024NTRPBF
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Infineon Technologies
21,338
现货
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
2,000 : ¥3.17642
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
11A(Tc)
10V
175 毫欧 @ 6.6A,10V
4V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
38W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IRFR9120NTRPBF
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Infineon Technologies
20,343
现货
1 : ¥8.13000
剪切带(CT)
2,000 : ¥3.37518
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
6.6A(Tc)
10V
480 毫欧 @ 3.9A,10V
4V @ 250µA
27 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
40W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IRLR120NTRPBF
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Infineon Technologies
12,564
现货
1 : ¥8.21000
剪切带(CT)
2,000 : ¥3.38646
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
10A(Tc)
4V,10V
185 毫欧 @ 6A,10V
2V @ 250µA
20 nC @ 5 V
±16V
440 pF @ 25 V
-
48W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IRFR5410TRPBF
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Infineon Technologies
21,627
现货
1 : ¥11.58000
剪切带(CT)
2,000 : ¥4.78090
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
13A(Tc)
10V
205 毫欧 @ 7.8A,10V
4V @ 250µA
58 nC @ 10 V
±20V
760 pF @ 25 V
-
66W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
D-PAK (TO-252AA)
IRFR120PBF
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Vishay Siliconix
6,064
现货
1 : ¥6.81000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
7.7A(Tc)
10V
270 毫欧 @ 4.6A,10V
4V @ 250µA
16 nC @ 10 V
±20V
360 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),42W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
SPD08P06PGBTMA1
MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3
Infineon Technologies
8,130
现货
1 : ¥7.31000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.76493
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
8.83A(Ta)
6.2V
300 毫欧 @ 10A,6.2V
4V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
420 pF @ 25 V
-
42W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
D-PAK (TO-252AA)
IRFR9120TRPBF
MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
Vishay Siliconix
8,584
现货
1 : ¥11.08000
剪切带(CT)
2,000 : ¥4.58625
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
5.6A(Tc)
10V
600 毫欧 @ 3.4A,10V
4V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
390 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),42W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
HARHARIRF230
IRF120
N-CHANNEL POWER MOSFET
Harris Corporation
202
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
8A(Tc)
10V
300 毫欧 @ 4A,10V
4V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 25 V
-
40W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-3
TO-204AA
TO252-3
IRFR120NTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
9.4A(Tc)
10V
210 毫欧 @ 5.6A,10V
4V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
330 pF @ 25 V
-
48W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
/ 14

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。