单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
GeneSiC SemiconductoronsemiSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
DeepGATE™, STripFET™ VIIG3R™QFET®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
80 V100 V150 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A（Tc）11A（Tc）28A（Tc）80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.3 毫欧 @ 19A，10V25 毫欧 @ 10.2A，10V420 毫欧 @ 4A，15V1.5 欧姆 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.69V @ 2mA3V @ 250µA4V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9 nC @ 10 V12 nC @ 15 V80 nC @ 10 V160 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±15V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
270 pF @ 25 V334 pF @ 800 V4700 pF @ 40 V5680 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
5W（Ta），100W（Tc）5.2W（Ta），83.3W（Tc）42W（Tc）74W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-MLP（3.3x3.3）PowerFlat™（5x6）PowerPAK® SO-8TO-247-3
封装/外壳
8-PowerVDFN8-PowerWDFNPowerPAK® SO-8TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerFlat™
STL100N10F7
MOSFET N-CH 100V 80A POWERFLAT
STMicroelectronics
88,307
现货
1 : ¥18.14000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.18912
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
80A（Tc）
10V
7.3 毫欧 @ 19A，10V
4V @ 250µA
80 nC @ 10 V
±20V
5680 pF @ 50 V
-
5W（Ta），100W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PowerFlat™（5x6）
8-PowerVDFN
PowerPAK SO-8
SI7469DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
21,993
现货
1 : ¥21.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.48427
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
28A（Tc）
4.5V，10V
25 毫欧 @ 10.2A，10V
3V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 40 V
-
5.2W（Ta），83.3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
8-MLP, Power33
FDMC2523P
MOSFET P-CH 150V 3A 8MLP
onsemi
999
现货
1 : ¥12.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.70160
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
3A（Tc）
10V
1.5 欧姆 @ 1.5A，10V
5V @ 250µA
9 nC @ 10 V
±30V
270 pF @ 25 V
-
42W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-MLP（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
TO-247-3
G3R350MT12D
SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
8,467
现货
1 : ¥38.91000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
11A（Tc）
15V
420 毫欧 @ 4A，15V
2.69V @ 2mA
12 nC @ 15 V
±15V
334 pF @ 800 V
-
74W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。