单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedRohm SemiconductorToshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.5A（Ta）6A（Ta）7A（Ta）10A（Ta）10.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
13 毫欧 @ 10A，10V23 毫欧 @ 10A，10V38 毫欧 @ 4A，10V80 毫欧 @ 2.8A，4.5V84 毫欧 @ 10A， 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.4V @ 250µA2.5V @ 100µA2.5V @ 1mA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.7 nC @ 4.5 V6 nC @ 4.5 V15.2 nC @ 10 V17 nC @ 10 V68.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
340 pF @ 15 V443 pF @ 10 V478.9 pF @ 15 V1200 pF @ 30 V3426 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
800mW（Ta）1W（Ta）26W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
POWERDI3333-8SOT-23-3SOT-23FTO-252
封装/外壳
8-PowerVDFNSOT-23-3 扁平引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
78,914
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.59347
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6A（Ta）
4.5V，10V
38 毫欧 @ 4A，10V
2.5V @ 100µA
2.7 nC @ 4.5 V
±20V
340 pF @ 15 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
RB098BM-40FNSTL
RD3L01BATTL1
PCH -60V -10A POWER MOSFET - RD3
Rohm Semiconductor
3,880
现货
1 : ¥9.11000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.78022
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
10A（Ta）
4.5V，10V
84 毫欧 @ 10A， 10V
2.5V @ 1mA
15.2 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 30 V
-
26W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PowerDI3333-8
DMP4013LFGQ-7
MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333
Diodes Incorporated
2,714
现货
170,000
工厂
1 : ¥10.75000
剪切带（CT）
2,000 : ¥2.91746
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
10.3A（Ta）
4.5V，10V
13 毫欧 @ 10A，10V
3V @ 250µA
68.6 nC @ 10 V
±20V
3426 pF @ 20 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
PowerDI3333-8
DMG7408SFG-7
MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI3333-8
Diodes Incorporated
2,000
现货
118,000
工厂
1 : ¥5.34000
剪切带（CT）
2,000 : ¥1.09055
卷带（TR）
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
7A（Ta）
4.5V，10V
23 毫欧 @ 10A，10V
2.4V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
478.9 pF @ 15 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
SOT-23-3
DMP2110UQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Diodes Incorporated
1,410
现货
2,757,000
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.63049
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.5A（Ta）
2.5V，4.5V
80 毫欧 @ 2.8A，4.5V
1V @ 250µA
6 nC @ 4.5 V
±10V
443 pF @ 10 V
-
800mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。