单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Infineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
Dual Cool™, PowerTrench®OptiMOS™PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V60 V80 V150 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.17A（Tc）9.6A（Ta），35A（Tc）15.2A（Tc）22A（Ta），49A（Tc）24A（Ta），76A（Tc）29A（Ta），108A（Tc）50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V8V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.3 毫欧 @ 29A，10V2.5 毫欧 @ 22A，10V3.1 毫欧 @ 24A，10V18 毫欧 @ 9.6A，10V19 毫欧 @ 50A，10V90 毫欧 @ 7.6A，10V1.2 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA4V @ 250µA4V @ 30µA4V @ 90µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11.6 nC @ 10 V12 nC @ 10 V31 nC @ 10 V46 nC @ 10 V61 nC @ 10 V101 nC @ 10 V107 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
510 pF @ 25 V920 pF @ 100 V2420 pF @ 75 V2715 pF @ 75 V3900 pF @ 20 V7005 pF @ 40 V7680 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
2.3W（Ta），40W（Tc）2.5W（Ta），104W（Tc）3.2W（Ta），12.5W（Tc）3.2W（Ta），125W（Tc）62.5W（Tc）125W（Tc）
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）PG-TDSON-8-1PG-TSDSON-8Power33PowerPAK® 1212-8
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® 1212-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
BSZ900N20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
Infineon Technologies
44,199
现货
1 : ¥13.38000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.81522
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
15.2A（Tc）
10V
90 毫欧 @ 7.6A，10V
4V @ 30µA
11.6 nC @ 10 V
±20V
920 pF @ 100 V
-
62.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
Power33
FDMC8321L
MOSFET N-CH 40V 22A/49A POWER33
onsemi
15,898
现货
1 : ¥20.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.12035
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
22A（Ta），49A（Tc）
4.5V，10V
2.5 毫欧 @ 22A，10V
3V @ 250µA
61 nC @ 10 V
±20V
3900 pF @ 20 V
-
2.3W（Ta），40W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Power33
8-PowerTDFN
8-PQFN
FDMS86200
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
onsemi
8,947
现货
1 : ¥20.36000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.17769
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
9.6A（Ta），35A（Tc）
6V，10V
18 毫欧 @ 9.6A，10V
4V @ 250µA
46 nC @ 10 V
±20V
2715 pF @ 75 V
-
2.5W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
BSC190N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1
Infineon Technologies
12,777
现货
1 : ¥23.73000
剪切带（CT）
5,000 : ¥10.28462
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
50A（Tc）
8V，10V
19 毫欧 @ 50A，10V
4V @ 90µA
31 nC @ 10 V
±20V
2420 pF @ 75 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
8-PQFN TOP
FDMS86300DC
MOSFET N-CH 80V 24A/76A DLCOOL56
onsemi
1,889
现货
1 : ¥24.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥10.94772
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
24A（Ta），76A（Tc）
8V，10V
3.1 毫欧 @ 24A，10V
4.5V @ 250µA
101 nC @ 10 V
±20V
7005 pF @ 40 V
-
3.2W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
8-PQFN TOP
FDMS86500DC
MOSFET N-CH 60V 29A DLCOOL56
onsemi
3,043
现货
1 : ¥28.57000
剪切带（CT）
3,000 : ¥13.91836
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
29A（Ta），108A（Tc）
8V，10V
2.3 毫欧 @ 29A，10V
4.5V @ 250µA
107 nC @ 10 V
±20V
7680 pF @ 30 V
-
3.2W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
PowerPAK 1212-8
SI7117DN-T1-E3
MOSFET P-CH 150V 2.17A PPAK
Vishay Siliconix
5,990
现货
1 : ¥10.43000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.30101
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
2.17A（Tc）
6V，10V
1.2 欧姆 @ 500mA，10V
4.5V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
510 pF @ 25 V
-
3.2W（Ta），12.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。