单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
onsemiRohm Semiconductor
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.3A（Ta）10A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
11.2毫欧 @ 10A，10V50 毫欧 @ 5.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
14 nC @ 10 V53 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
528 pF @ 15 V2370 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
1.1W（Ta）2.5W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOICTSMT8
封装/外壳
8-SMD，扁平引线8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-SOIC
FDS9435A
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
onsemi
33,825
现货
1 : ¥5.50000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.09380
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.3A（Ta）
4.5V，10V
50 毫欧 @ 5.3A，10V
3V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±25V
528 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
846~TSMT8~~8 Top
RQ7E100ATTCR
MOSFET P-CH 30V 10A TSMT8
Rohm Semiconductor
2,552
现货
1 : ¥10.84000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.48212
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
10A（Ta）
4.5V，10V
11.2毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 1mA
53 nC @ 10 V
±20V
2370 pF @ 15 V
-
1.1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
TSMT8
8-SMD，扁平引线
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。