单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
onsemiVishay Siliconix
系列
-TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A（Ta），68A（Tc）17，4A（Ta），63A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V7.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7，2 毫欧 @ 10A，10V7.2 毫欧 @ 15A，10V9.5 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA3.8V @ 250µA4V @ 70µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
19 nC @ 10 V42 nC @ 10 V57 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1140 pF @ 40 V1930 pF @ 40 V2550 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
3.2W（Ta），107W（Tc）5W（Ta），65.7W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-WDFN（3.3x3.3）PowerPAK® 1212-8SPowerPAK® 1212-8SH
封装/外壳
8-PowerWDFNPowerPAK® 1212-8SPowerPAK® 1212-8SH
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK 1212-8S
SISS32DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK
Vishay Siliconix
15,228
现货
1 : ¥10.26000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.24441
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
17，4A（Ta），63A（Tc）
7.5V，10V
7，2 毫欧 @ 10A，10V
3.8V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
1930 pF @ 40 V
-
5W（Ta），65.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
8-WDFN
NVTFS6H850NTAG
MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
onsemi
2,836
现货
1 : ¥8.13000
剪切带（CT）
1,500 : ¥3.58292
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
11A（Ta），68A（Tc）
10V
9.5 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 70µA
19 nC @ 10 V
±20V
1140 pF @ 40 V
-
3.2W（Ta），107W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
PowerPAK-1212-8SH_Bottom
SISS32LDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK
Vishay Siliconix
23,165
现货
1 : ¥9.52000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.93882
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
17，4A（Ta），63A（Tc）
4.5V，10V
7.2 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
57 nC @ 10 V
±20V
2550 pF @ 40 V
-
5W（Ta），65.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK® 1212-8SH
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。