单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Infineon TechnologiesToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
HEXFET®OptiMOS™TrenchFET®U-MOSVIII-HU-MOSX-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
14A（Ta），20A（Tc）23A（Ta），100A（Tc）55A（Ta）56A（Tc）62A（Tc）90A（Tc）110A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.8 毫欧 @ 50A，10V6.5 毫欧 @ 27.5A，10V6.7 毫欧 @ 20A，10V6.8 毫欧 @ 90A，10V6.9 毫欧 @ 31A，10V11.2 毫欧 @ 20A，10V13.9 毫欧 @ 38A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 35µA2.2V @ 93µA3V @ 250µA3.5V @ 500µA3.5V @ 90µA4V @ 100µA4V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
39 nC @ 10 V49 nC @ 10 V67 nC @ 10 V68 nC @ 10 V81 nC @ 10 V175 nC @ 10 V270 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2700 pF @ 40 V3031 pF @ 50 V3280 pF @ 10 V4910 pF @ 50 V5100 pF @ 30 V10850 pF @ 40 V13000 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
2.1W（Ta），69W（Tc）2.5W（Ta），139W（Tc）13.6W（Ta），375W（Tc）89W（Tc）143W（Tc）150W（Tc）157W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）175°C175°C（TJ）
供应商器件封装
DPAKDPAK+PG-TDSON-8-1PG-TO252-3PG-TSDSON-8TO-252AA (DPAK)TO-263（D2PAK）
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNTO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-TSDSON
BSZ067N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 14A/20A 8TSDSON
Infineon Technologies
17,516
现货
1 : ¥11.66000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.60715
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
14A（Ta），20A（Tc）
4.5V，10V
6.7 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 35µA
67 nC @ 10 V
±20V
5100 pF @ 30 V
-
2.1W（Ta），69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerVDFN
TO252-3
IRFR4510TRPBF
MOSFET N CH 100V 56A DPAK
Infineon Technologies
30,196
现货
1 : ¥15.11000
剪切带（CT）
2,000 : ¥6.79669
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
56A（Tc）
10V
13.9 毫欧 @ 38A，10V
4V @ 100µA
81 nC @ 10 V
±20V
3031 pF @ 50 V
-
143W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PG-TDSON-8-1
BSC028N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Infineon Technologies
8,813
现货
1 : ¥22.00000
剪切带（CT）
5,000 : ¥9.55227
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
23A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
2.8 毫欧 @ 50A，10V
2.2V @ 93µA
175 nC @ 10 V
±20V
13000 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），139W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
TO-263 (D2Pak)
SUM110P08-11L-E3
MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Vishay Siliconix
46,008
现货
1 : ¥36.70000
剪切带（CT）
800 : ¥22.15600
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
110A（Tc）
4.5V，10V
11.2 毫欧 @ 20A，10V
3V @ 250µA
270 nC @ 10 V
±20V
10850 pF @ 40 V
-
13.6W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO252-3
IPD068N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Infineon Technologies
11,201
现货
1 : ¥12.89000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.67515
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
90A（Tc）
6V，10V
6.8 毫欧 @ 90A，10V
3.5V @ 90µA
68 nC @ 10 V
±20V
4910 pF @ 50 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
1,939
现货
1 : ¥13.46000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.69008
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
62A（Tc）
6V，10V
6.9 毫欧 @ 31A，10V
3.5V @ 500µA
39 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 40 V
-
89W（Tc）
175°C
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
5,303
现货
1 : ¥29.31000
剪切带（CT）
2,000 : ¥9.83124
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
55A（Ta）
10V
6.5 毫欧 @ 27.5A，10V
4V @ 500µA
49 nC @ 10 V
±20V
3280 pF @ 10 V
-
157W（Tc）
175°C（TJ）
表面贴装型
DPAK+
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 7

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。