单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesToshiba Semiconductor and Storage
系列
HEXFET®U-MOSVIII-H
包装
散装管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
55 V75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
19A（Tc）80A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.5 毫欧 @ 40A，10V100 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
35 nC @ 10 V175 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
620 pF @ 25 V8200 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
45W（Tc）68W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
TO-220ABTO-220SIS
封装/外壳
TO-220-3TO-220-3 整包
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB PKG
IRF9Z34NPBF
MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Infineon Technologies
72,651
现货
1 : ¥5.42000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
19A（Tc）
10V
100 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
620 pF @ 25 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
66
现货
1 : ¥17.08000
散装
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
75 V
80A（Ta）
10V
4.5 毫欧 @ 40A，10V
4V @ 1mA
175 nC @ 10 V
±20V
8200 pF @ 10 V
-
45W（Tc）
150°C（TJ）
通孔
TO-220SIS
TO-220-3 整包
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。