单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Panjit International Inc.Vishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.7A（Tc）2.2A（Ta）3.2A（Tc）50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.6 毫欧 @ 15A，10V115 毫欧 @ 2.4A，4.5V120 毫欧 @ 3.8A，10V160 毫欧 @ 2.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2.1V @ 250µA2.2V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.5 nC @ 4.5 V5.5 nC @ 10 V7.3 nC @ 10 V140 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
299 pF @ 20 V330 pF @ 10 V344 pF @ 15 V5250 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
1.25W（Ta）2W（Tc）3.3W（Tc）4.8W（Ta），57W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8SSC-70-6SOT-23SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363PowerPAK® 1212-8STO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SC-70-6
SQ1440EH-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 1.7A SC70-6
Vishay Siliconix
17,312
现货
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.59853
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.7A（Tc）
4.5V，10V
120 毫欧 @ 3.8A，10V
2.5V @ 250µA
5.5 nC @ 10 V
±20V
344 pF @ 15 V
-
3.3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SC-70-6
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
PowerPAK 1212-8S
SISS27DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
Vishay Siliconix
32,563
现货
1 : ¥6.65000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.52036
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
50A（Tc）
4.5V，10V
5.6 毫欧 @ 15A，10V
2.2V @ 250µA
140 nC @ 10 V
±20V
5250 pF @ 15 V
-
4.8W（Ta），57W（Tc）
-50°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
23,914
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.86594
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
2.2A（Ta）
4.5V，10V
160 毫欧 @ 2.2A，10V
2.1V @ 250µA
7.3 nC @ 10 V
±20V
299 pF @ 20 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SQ2351ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
Vishay Siliconix
19,504
现货
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.59853
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.2A（Tc）
2.5V，4.5V
115 毫欧 @ 2.4A，4.5V
1.5V @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±12V
330 pF @ 10 V
-
2W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。