单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Central Semiconductor CorponsemiVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®UniFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V200 V300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
450mA（Ta）12A（Tc）38A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
120 毫欧 @ 19A，10V213 毫欧 @ 1A，4V1.1 欧姆 @ 430mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA3.5V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.88 nC @ 4.5 V73 nC @ 10 V160 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
8V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
55 pF @ 25 V3340 pF @ 25 V4355 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
250mW（Ta）83W（Tc）313W（Tc）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8SOT-523TO-263（D2PAK）
封装/外壳
PowerPAK® SO-8SOT-523TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPak SO-8L
SQJ431EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
11,438
现货
1 : ¥15.60000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.03602
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
12A（Tc）
6V，10V
213 毫欧 @ 1A，4V
3.5V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4355 pF @ 25 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-263
FDB38N30U
MOSFET N CH 300V 38A D2PAK
onsemi
2,260
现货
4,000
工厂
1 : ¥25.94000
剪切带（CT）
800 : ¥15.68699
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
300 V
38A（Tc）
10V
120 毫欧 @ 19A，10V
5V @ 250µA
73 nC @ 10 V
±30V
3340 pF @ 25 V
-
313W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
261
现货
1 : ¥6.24000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.36319
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
450mA（Ta）
1.8V，4.5V
1.1 欧姆 @ 430mA，4.5V
1V @ 250µA
0.88 nC @ 4.5 V
8V
55 pF @ 25 V
-
250mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。