单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
250 V500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
230mA（Tj）360mA（Tj）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6 欧姆 @ 200mA，0V10 欧姆 @ 300mA，0V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
200 pF @ 25 V350 pF @ 25 V
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
C04-029 MB
DN3525N8-G
MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA
Microchip Technology
9,151
现货
1 : ¥7.22000
剪切带（CT）
2,000 : ¥5.33642
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
360mA（Tj）
0V
6 欧姆 @ 200mA，0V
-
±20V
350 pF @ 25 V
耗尽模式
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-243AA（SOT-89）
TO-243AA
C04-029 MB
DN2450N8-G
MOSFET N-CH 500V 230MA TO243AA
Microchip Technology
575
现货
1 : ¥7.39000
剪切带（CT）
2,000 : ¥5.66481
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
230mA（Tj）
0V
10 欧姆 @ 300mA，0V
-
±20V
200 pF @ 25 V
耗尽模式
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-243AA（SOT-89）
TO-243AA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。