单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）散装
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
500mA（Ta）1.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
480 毫欧 @ 1.2A，10V5 欧姆 @ 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 25µA3V @ 1mA
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
40 pF @ 10 V64 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
830mW（Ta）1.25W（Ta）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23TO-92-3
封装/外壳
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
IRLML2060TRPBF
MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23
Infineon Technologies
30,345
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.88633
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.2A（Ta）
4.5V，10V
480 毫欧 @ 1.2A，10V
2.5V @ 25µA
0.67 nC @ 4.5 V
±16V
64 pF @ 25 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
BS170
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
onsemi
38,864
现货
60,000
工厂
1 : ¥3.37000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
500mA（Ta）
10V
5 欧姆 @ 200mA，10V
3V @ 1mA
-
±20V
40 pF @ 10 V
-
830mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。