单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedMicro Commercial Coonsemi
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.5A（Ta）14A（Ta）30A45A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
11 毫欧 @ 9.8A，10V17 毫欧 @ 20A，10V55 欧姆 @ 20A，10V300 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA2.7V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
15 nC @ 10 V16 nC @ 10 V19.3 nC @ 10 V47.5 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
601 pF @ 30 V1050 pF @ 30 V1135 pF @ 50 V4234 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
3W（Ta）3.5W（Ta）72W72W（Tj）
供应商器件封装
DPAKSOT-223-4TO-252-3TO-252（DPAK）
封装/外壳
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT223-3L
NDT2955
MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4
onsemi
1,517
现货
1 : ¥5.42000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.06661
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.5A（Ta）
4.5V，10V
300 毫欧 @ 2.5A，10V
4V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
601 pF @ 30 V
-
3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4，TO-261AA
MBRD6100CT-TP
MCU45N10-TP
N-CHANNEL MOSFET, DPAK
Micro Commercial Co
5,833
现货
1 : ¥6.90000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.61958
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
45A
-
17 毫欧 @ 20A，10V
3V @ 250µA
16 nC @ 10 V
±20V
1135 pF @ 50 V
-
72W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
MBRD6100CT-TP
MCU30P06Y-TP
P-CHANNEL MOSFET, DPAK
Micro Commercial Co
3,771
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.09674
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
30A
4.5V，10V
55 欧姆 @ 20A，10V
2.7V @ 250µA
19.3 nC @ 10 V
±20V
1050 pF @ 30 V
-
72W（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252-2
DMP4015SK3-13
MOSFET P-CH 40V 14A TO252
Diodes Incorporated
7,328
现货
122,500
工厂
1 : ¥6.98000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.88286
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
14A（Ta）
4.5V，10V
11 毫欧 @ 9.8A，10V
2.5V @ 250µA
47.5 nC @ 5 V
±25V
4234 pF @ 20 V
-
3.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。