单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes Incorporatedonsemi
系列
-UltraFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
25 V30 V50 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130mA（Ta）500mA（Ta）700mA（Ta）3A（Ta）3.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V2.7V，4.5V4.5V，10V5V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
70 毫欧 @ 3.8A，10V117 毫欧 @ 3A，10V350 毫欧 @ 600mA，4.5V1.6 欧姆 @ 500mA，10V10 欧姆 @ 100mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2V @ 1mA2.1V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 4.5 V1.5 nC @ 4.5 V8 nC @ 4.5 V45 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
45 pF @ 25 V46 pF @ 25 V60 pF @ 10 V1008 pF @ 25 V2610 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）280mW（Tj）370mW（Ta）1.08W（Ta）2.5W（Ta）
供应商器件封装
8-SOICSC-70-3（SOT323）SOT-23-3SOT-323
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN53D0LQ-7
MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Diodes Incorporated
184,472
现货
3,390,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.51385
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
500mA（Ta）
2.5V，10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
1.5V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
46 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-323
BSS84W-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323
Diodes Incorporated
354,025
现货
7,695,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.57291
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
5V
10 欧姆 @ 100mA，5V
2V @ 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
8-SOIC
FDS2734
MOSFET N-CH 250V 3A 8SOIC
onsemi
5,440
现货
1 : ¥16.42000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.40104
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
3A（Ta）
6V，10V
117 毫欧 @ 3A，10V
4V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±20V
2610 pF @ 100 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
SOT-23-3
DMP3098LQ-7
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3
Diodes Incorporated
209,121
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.79326
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.8A（Ta）
4.5V，10V
70 毫欧 @ 3.8A，10V
2.1V @ 250µA
8 nC @ 4.5 V
±20V
1008 pF @ 25 V
-
1.08W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SC-70-3
NTS4409NT1G
MOSFET N-CH 25V 700MA SC70-3
onsemi
53,825
现货
51,000
工厂
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.90967
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
700mA（Ta）
2.7V，4.5V
350 毫欧 @ 600mA，4.5V
1.5V @ 250µA
1.5 nC @ 4.5 V
±8V
60 pF @ 10 V
-
280mW（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SC-70-3（SOT323）
SC-70，SOT-323
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。