单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedonsemiVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V40 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
260mA（Ta）1A（Ta）1.41A（Ta）4.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
75 毫欧 @ 3A，10V150 毫欧 @ 1A，4.5V630 毫欧 @ 1A，10V2.5 欧姆 @ 240mA，10V3 欧姆 @ 115mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2V @ 250µA2.5V @ 250µA2.6V @ 250µA2.9V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.81 nC @ 5 V1.5 nC @ 4.5 V6 nC @ 10 V16 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±6V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
25 pF @ 25 V40 pF @ 25 V100 pF @ 50 V106 pF @ 10 V620 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
300mW（Ta）430mW（Ta）500mW（Ta）1.4W（Ta）2.5W（Tc）
供应商器件封装
SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）X1-DFN1006-3
封装/外壳
3-SMD，SOT-23-3 变式3-UFDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
NTR5103NT1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
90,950
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32801
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
260mA（Ta）
4.5V，10V
2.5 欧姆 @ 240mA，10V
2.6V @ 250µA
0.81 nC @ 5 V
±30V
40 pF @ 25 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
AO3442
MOSFET N-CH 100V 1A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
236,890
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.84350
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1A（Ta）
4.5V，10V
630 毫欧 @ 1A，10V
2.9V @ 250µA
6 nC @ 10 V
±20V
100 pF @ 50 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD，SOT-23-3 变式
X2-DFN1006-3
DMN65D8LFB-7B
MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Diodes Incorporated
451,207
现货
100,000
工厂
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.20525
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
260mA（Ta）
5V，10V
3 欧姆 @ 115mA，10V
2V @ 250µA
-
±20V
25 pF @ 25 V
-
430mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
X1-DFN1006-3
3-UFDFN
SOT-23-3
SQ2319ADS-T1_BE3
MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
10,792
现货
1 : ¥5.42000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.05833
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
4.6A（Tc）
4.5V，10V
75 毫欧 @ 3A，10V
2.5V @ 250µA
16 nC @ 10 V
±20V
620 pF @ 20 V
-
2.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
X2-DFN1006-3
DMN1150UFB-7B
MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
Diodes Incorporated
23,659
现货
290,000
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.50719
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
1.41A（Ta）
1.8V，4.5V
150 毫欧 @ 1A，4.5V
1V @ 250µA
1.5 nC @ 4.5 V
±6V
106 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
X1-DFN1006-3
3-UFDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。