单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Littelfuse Inc.STMicroelectronics
系列
HiPerFET™PolarSuperMESH™
漏源电压（Vdss）
1000 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Tc）600mA（Tc）2.5A（Tc）3A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.5 欧姆 @ 500mA，10V6 欧姆 @ 1.25A，10V32 欧姆 @ 500mA，10V75 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 100µA4.5V @ 50µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.7 nC @ 10 V13.3 nC @ 10 V18 nC @ 10 V42 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
104 pF @ 25 V270 pF @ 25 V601 pF @ 25 V1350 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
25W（Tc）33W（Tc）42W（Tc）200W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
TO-220-3TO-220FPTO-252AA
封装/外壳
TO-220-3TO-220-3 整包TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252-3
IXTY02N120P
MOSFET N-CH 1200V 200MA TO252
Littelfuse Inc.
17,881
现货
2,170
工厂
1 : ¥13.55000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1200 V
200mA（Tc）
10V
75 欧姆 @ 500mA，10V
4V @ 100µA
4.7 nC @ 10 V
±20V
104 pF @ 25 V
-
33W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-220-3
IXTP3N120
MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB
Littelfuse Inc.
480
现货
1 : ¥66.66000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1200 V
3A（Tc）
10V
4.5 欧姆 @ 500mA，10V
5V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
1350 pF @ 25 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-220FP
STF3NK100Z
MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO220FP
STMicroelectronics
670
现货
1 : ¥30.70000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1000 V
2.5A（Tc）
10V
6 欧姆 @ 1.25A，10V
4.5V @ 50µA
18 nC @ 10 V
±30V
601 pF @ 25 V
-
25W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
TO-220-3
IXTP06N120P
MOSFET N-CH 1200V 600MA TO220AB
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥39.24000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1200 V
600mA（Tc）
10V
32 欧姆 @ 500mA，10V
4.5V @ 50µA
13.3 nC @ 10 V
±20V
270 pF @ 25 V
-
42W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。