单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
STMicroelectronicsTexas InstrumentsVishay Siliconix
系列
NexFET™STripFET™ F6TrenchFET®TrenchFET® Gen III
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.5A（Ta），5.9A（Tc）35.1A（Ta），127.5A（Tc）42A（Tc）76A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.7 毫欧 @ 15A，10V8.9 毫欧 @ 10A，4.5V18 毫欧 @ 5A，10V30 毫欧 @ 4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.15V @ 250µA1.5V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9.7 nC @ 4.5 V20 nC @ 10 V22 nC @ 4.5 V236 nC @ 8 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
735 pF @ 10 V1790 pF @ 10 V2850 pF @ 25 V7080 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
960mW（Ta），1.7W（Tc）2.8W（Ta），69W（Tc）5W（Ta），65.8W（Tc）75W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）175°C（TJ）
供应商器件封装
8-VSONP（3x3.3）PowerFlat™（5x6）PowerPAK® 1212-8SSOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
8-PowerVDFNPowerPAK® 1212-8STO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
CSD25402Q3A
MOSFET P-CH 20V 76A 8VSON
Texas Instruments
50,918
现货
1 : ¥7.22000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.98840
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
76A（Tc）
1.8V，4.5V
8.9 毫欧 @ 10A，4.5V
1.15V @ 250µA
9.7 nC @ 4.5 V
±12V
1790 pF @ 10 V
-
2.8W（Ta），69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（3x3.3）
8-PowerVDFN
8 PowerVDFN
STL42P4LLF6
MOSFET P-CH 40V 42A POWERFLAT
STMicroelectronics
20,488
现货
1 : ¥12.40000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.12160
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
42A（Tc）
4.5V，10V
18 毫欧 @ 5A，10V
2.5V @ 250µA
22 nC @ 4.5 V
±20V
2850 pF @ 25 V
-
75W（Tc）
175°C（TJ）
表面贴装型
PowerFlat™（5x6）
8-PowerVDFN
SOT-23-3
SI2374DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 4.5A/5.9A SOT23
Vishay Siliconix
25,048
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.84156
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.5A（Ta），5.9A（Tc）
1.8V，4.5V
30 毫欧 @ 4A，4.5V
1V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±8V
735 pF @ 10 V
-
960mW（Ta），1.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK 1212-8S
SISS63DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK
Vishay Siliconix
39,765
现货
1 : ¥7.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.28236
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
35.1A（Ta），127.5A（Tc）
2.5V，10V
2.7 毫欧 @ 15A，10V
1.5V @ 250µA
236 nC @ 8 V
±12V
7080 pF @ 10 V
-
5W（Ta），65.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。