单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
EPCSTMicroelectronics
系列
-eGaN®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
100 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
500mA（Ta）15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V6V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
120 毫欧 @ 5A，6V3.3 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 20µA2.6V @ 12mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.044 nC @ 5 V3 nC @ 6 V
Vgs（最大值）
+6V，-10V+6V，-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
8.4 pF @ 50 V125 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）
192W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
PowerFlat™（5x6）HV模具
封装/外壳
8-PowerVDFN模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
eGaN Series
EPC2038
GANFET N-CH 100V 500MA DIE
EPC
169,916
现货
1 : ¥11.25000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.64041
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
500mA（Ta）
5V
3.3 欧姆 @ 50mA，5V
2.5V @ 20µA
0.044 nC @ 5 V
+6V，-4V
8.4 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
SGT120R65AL
SGT120R65AL
650 V, 75 MOHM TYP., 15 A, E-MOD
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥40.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥19.78793
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
650 V
15A（Tc）
6V
120 毫欧 @ 5A，6V
2.6V @ 12mA
3 nC @ 6 V
+6V，-10V
125 pF @ 400 V
-
192W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerFlat™（5x6）HV
8-PowerVDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。