单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesRohm Semiconductor
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
250mA(Ta)2A(Ta)16.4A(Tc)26A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.3 毫欧 @ 30A,10V90 毫欧 @ 16.4A,10V210 毫欧 @ 2A,10V2.4 欧姆 @ 250mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA2.3V @ 1mA3V @ 1mA4V @ 710µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
7.2 nC @ 5 V26 nC @ 10 V27 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
15 pF @ 25 V750 pF @ 10 V1100 pF @ 30 V1600 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
150mW(Ta)1.25W(Ta)2.5W(Ta),43W(Tc)63W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
EMT3F(SOT-416FL)PG-TDSON-8-6PG-TO252-3-313TSMT6(SC-95)
封装/外壳
8-PowerTDFNSC-89,SOT-490SOT-23-6 细型,TSOT-23-6TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
EMT3F
RE1L002SNTL
MOSFET N-CH 60V 250MA EMT3F
Rohm Semiconductor
45,803
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.53142
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
250mA(Ta)
10V
2.4 欧姆 @ 250mA,10V
2.3V @ 1mA
-
±20V
15 pF @ 25 V
-
150mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
EMT3F(SOT-416FL)
SC-89,SOT-490
TSMT6_TSMT6 Pkg
RQ6L020SPTCR
MOSFET P-CH 60V 2A TSMT6
Rohm Semiconductor
19,427
现货
1 : ¥5.99000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.21209
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2A(Ta)
4V,10V
210 毫欧 @ 2A,10V
3V @ 1mA
7.2 nC @ 5 V
±20V
750 pF @ 10 V
-
1.25W(Ta)
150°C(TJ)
表面贴装型
TSMT6(SC-95)
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TO252-3
IPD900P06NMATMA1
MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252
Infineon Technologies
8,466
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.13408
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
16.4A(Tc)
10V
90 毫欧 @ 16.4A,10V
4V @ 710µA
27 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 30 V
-
63W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8-Power TDFN
BSC0502NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 26A/100A TDSON
Infineon Technologies
24,257
现货
1 : ¥10.67000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.20399
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
26A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
2.3 毫欧 @ 30A,10V
2V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±20V
1600 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta),43W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
显示
/ 4

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。