单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
840mA（Tc）3.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
62 毫欧 @ 4.2A，4.5V1.77 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.3 nC @ 4.5 V10 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
250 pF @ 50 V487 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
800mW（Ta）3W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TA）
供应商器件封装
SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMP2120U-7
MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23
Diodes Incorporated
414,601
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.54488
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.8A（Ta）
1.8V，4.5V
62 毫欧 @ 4.2A，4.5V
1V @ 250µA
6.3 nC @ 4.5 V
±8V
487 pF @ 20 V
-
800mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SQ2325ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 150V 840MA TO236
Vishay Siliconix
5,223
现货
1 : ¥5.42000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.05833
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
840mA（Tc）
10V
1.77 欧姆 @ 500mA，10V
3.5V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
250 pF @ 50 V
-
3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TA）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。