单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedTexas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-NexFET™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.6A（Tc）2.2A（Ta）2.4A（Ta）100A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.2 毫欧 @ 28A，10V100 毫欧 @ 2.8A，4.5V120 毫欧 @ 2.5A，10V345 毫欧 @ 1.25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
950mV @ 250µA1V @ 250µA2.3V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.9 nC @ 10 V4.1 nC @ 4.5 V10 nC @ 4.5 V53 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
190 pF @ 25 V210 pF @ 30 V375 pF @ 6 V4230 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
700mW（Ta）1W（Ta），1.7W（Tc）1.1W（Ta）3.1W（Ta），195W（Tc）
供应商器件封装
8-VSON-CLIP（5x6）SOT-23-3（TO-236）SOT-23-6
封装/外壳
8-PowerTDFNSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
SI2309CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
25,052
现货
1 : ¥4.35000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.46767
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.6A（Tc）
4.5V，10V
345 毫欧 @ 1.25A，10V
3V @ 250µA
4.1 nC @ 4.5 V
±20V
210 pF @ 30 V
-
1W（Ta），1.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-6
ZXMN3A01E6TA
MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
Diodes Incorporated
138,507
现货
171,000
工厂
1 : ¥4.60000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.74612
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.4A（Ta）
4.5V，10V
120 毫欧 @ 2.5A，10V
1V @ 250µA
3.9 nC @ 10 V
±20V
190 pF @ 25 V
-
1.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-6
SOT-23-6
CSD18540Q5B
CSD18540Q5B
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Texas Instruments
9,801
现货
1 : ¥25.61000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.69459
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Ta）
4.5V，10V
2.2 毫欧 @ 28A，10V
2.3V @ 250µA
53 nC @ 10 V
±20V
4230 pF @ 30 V
-
3.1W（Ta），195W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（5x6）
8-PowerTDFN
SOT-23-3
SI2301BDS-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
Vishay Siliconix
23,129
现货
1 : ¥4.84000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.09891
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.2A（Ta）
2.5V，4.5V
100 毫欧 @ 2.8A，4.5V
950mV @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
375 pF @ 6 V
-
700mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。