单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologies
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
710mA（Ta）80A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9 毫欧 @ 46A，10V2 欧姆 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 1mA4V @ 100µA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
75 pF @ 18 V3070 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
2W（Ta）140W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
D2PAKSOT-223-3
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AATO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS3607TRLPBF
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Infineon Technologies
20,484
现货
1 : ¥12.48000
剪切带（CT）
800 : ¥4.72505
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
75 V
80A（Tc）
10V
9 毫欧 @ 46A，10V
4V @ 100µA
84 nC @ 10 V
±20V
3070 pF @ 50 V
-
140W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
SOT-223-3
ZVN2106GTA
MOSFET N-CH 60V 710MA SOT223
Diodes Incorporated
4,997
现货
71,000
工厂
1 : ¥6.98000
剪切带（CT）
1,000 : ¥2.97367
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
710mA（Ta）
10V
2 欧姆 @ 1A，10V
2.4V @ 1mA
-
±20V
75 pF @ 18 V
-
2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。